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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI9953DY-T1-E3-VB一款2個(gè)P—Channel溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): SI9953DY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOP8封裝
  • 溝道 2個(gè)P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**型號(hào):** SI9953DY-T1-E3-VB

**絲?。?* VBA4338

**品牌:** VBsemi

**參數(shù):**
- 2個(gè)P—Channel溝道
- 電壓范圍:-30V
- 電流范圍:-7A
- 導(dǎo)通電阻:RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V, 35mΩ @ VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=-1.5V

**封裝:** SOP8

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
SI9953DY-T1-E3-VB是一款P—Channel溝道功率MOSFET,具有2個(gè)溝道,適用于-30V的電壓范圍。在負(fù)向電流為-7A的情況下,具有35mΩ @ VGS=10V和35mΩ @ VGS=20V的導(dǎo)通電阻。其閾值電壓為-1.5V,采用SOP8封裝。

**應(yīng)用簡(jiǎn)介:**
SI9953DY-T1-E3-VB廣泛應(yīng)用于P—Channel MOSFET相關(guān)的電源和開關(guān)電源應(yīng)用,特別適用于需要負(fù)向電流和低導(dǎo)通電阻的場(chǎng)景。該器件在電源逆變器、電源開關(guān)模塊、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。

**應(yīng)用示例:**
1. **電源逆變器:** 適用于電源逆變器模塊,實(shí)現(xiàn)高效的電能逆變,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車逆變器等領(lǐng)域。
2. **電源開關(guān)模塊:** 在電源開關(guān)模塊中,提供可靠的功率開關(guān)功能,適用于便攜設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域。
3. **電池管理系統(tǒng):** 由于其P—Channel溝道設(shè)計(jì),可用于電池管理系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)高效的電池充放電控制。

SI9953DY-T1-E3-VB通過其P—Channel溝道設(shè)計(jì),為需要此類特性的電源系統(tǒng)提供了高效可靠的解決方案。

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