特點(diǎn)
在繼續(xù)開發(fā)之前，家族需要注意一組最小的設(shè)備夾連接。以下是引腳名稱列表，必須始終連接：?所有VDD和VSS引腳（請(qǐng)參閱第2.2節(jié)“去耦電容器”）?所有AVDD和AVSS引腳（無論是否使用ADC模塊）（請(qǐng)參閱2.2節(jié)“解耦電容器”使用source（請(qǐng)參閱第2.6節(jié)“外部振蕩器引腳”）此外，可能需要以下引腳：?當(dāng)實(shí)現(xiàn)ADC模塊的外部電壓參考時(shí)，使用VREF+/VREF-引腳

描述

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實(shí)時(shí)翻譯
劃譯
需要在每對(duì)電源引腳上使用去耦電容器，如VDD、VSS、AVDD和AVSS。使用去耦電容器時(shí)，請(qǐng)考慮以下標(biāo)準(zhǔn)：?電容器的值和類型：建議0.1μF（100 nF），10-20V。該電容器應(yīng)當(dāng)是低ESR并且具有在20MHz及更高范圍內(nèi)的諧振頻率。建議使用陶瓷電容器。?在印刷電路板上的放置：去耦電容器應(yīng)盡可能靠近引腳。建議將電容器放置在與設(shè)備同一側(cè)的板上。如果空間有限，可以使用過孔將電容器放置在PCB的另一層上；但是，確保引腳到電容器的跡線長度在四分之一英寸（6毫米）以內(nèi)。?處理高頻噪聲：如果電路板遇到幾十兆赫以上的高頻噪聲，則在上述去耦電容器中添加第二個(gè)并聯(lián)的陶瓷型電容器。第二個(gè)電容器的值可以在0.01μF到0.001μF的范圍內(nèi)。將第二個(gè)電容器放在主去耦電容器旁邊。在高速電路設(shè)計(jì)中，考慮盡可能增加電源和接地引腳的十年電容對(duì)。例如，0.1μF與0.001μF并聯(lián)。?最大限度地提高性能：在電源電路的板布局上，先將電源和回流跡線連接到去耦電容器，然后連接到設(shè)備引腳。這確保了去耦合電容器在功率鏈中處于第一位。同樣重要的是將電容器和電源引腳之間的跡線長度保持在最小值，從而降低PCB跡線電感