Qorvo QPD2120D 1200μm分立式GaAs pHEMT
Qorvo QPD2120D 1200μm 分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下，QPD2120D的輸出功率為31dBm（P1dB時(shí)），增益為11.5dB，功率附加效率為57%（1dB壓縮時(shí)）。得益于該性能，QPD2120D適合用于高效率應(yīng)用。
QPD2120D設(shè)計(jì)采用0.25μm功率pHEMT生產(chǎn)工藝。該工藝在高漏極偏置工作條件下通過先進(jìn)的技術(shù)優(yōu)化微波功率和效率。
Qorvo QPD2120D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.54mm x 0.10mm裸片。該器件采用帶氮化硅的保護(hù)層，可提供環(huán)境穩(wěn)健性和防刮痕保護(hù)。
特性
頻率范圍：直流至20GHz
P1dB輸出功率：31dBm（典型值）
增益：11dB（12GHz時(shí)典型值）
PAE：57%（12GHz時(shí)典型值）
噪聲系數(shù)：1dB（12GHz時(shí)典型值）
漏極電壓：8V
漏極電流：194mA
0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)
裸片尺寸：0.41mm x 0.54mm x 0.10mm
無鹵、無鉛、符合RoHS指令
應(yīng)用
通信
雷達(dá)
點(diǎn)對點(diǎn)無線電
衛(wèi)星通信
