石英溫補(bǔ)振蕩器YSO510TP 26MHZ 3.3V -30~85℃ CMOS OW7EN-WU5-26M

TCXO 晶體振蕩器有源晶振溫補(bǔ)晶振

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

YXC-YSO510TP-datesheet V2.0 (240131).pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

*可編程溫補(bǔ)晶振

*可兼容多種電壓(1.8V-3.3V)

*超高頻率晶振

*CMOS輸出

*高穩(wěn)定性(±2.5ppm)，抗震性強(qiáng)

*低抖動：1.5 ps typ.

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產(chǎn)品文章資料

Q MEMS石英溫補(bǔ)晶振YSO511PJ 100MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-100M2024-08-29 14:30

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 33.33MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-33.33M2024-08-29 14:28

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 40MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-40M2024-08-29 14:26

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 80MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-80M2024-08-29 14:23

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補(bǔ)振蕩器YSO511PJ 10MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-10M2024-08-29 14:20

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標(biāo)稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
表晶YSX146GA 32.768KHZ 6PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KID4GI2024-08-29 14:17

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 7PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KJD4GI2024-08-29 14:14

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 9PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KLD4GI2024-08-28 10:06

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±10PPM -40~85℃ X701532768KGB4GI2024-08-28 09:59

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±20PPM -40~85℃ XKYGI-SUG-32.768K2024-08-28 09:56

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標(biāo)稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC

通信同步恒溫晶振：YOV2020DP 10MHz 高精度±0.05ppb2026-04-30 17:17

YXC揚(yáng)興科技YOV2020DP系列10MHz恒溫晶振，憑借全溫高穩(wěn)、超低相噪等特性，可在嚴(yán)苛工況下長期維持精準(zhǔn)時序輸出。產(chǎn)品廣泛適配通信基站、衛(wèi)星導(dǎo)航、導(dǎo)航授時等高端領(lǐng)域，為客戶提供高可靠、高性價比的國產(chǎn)化時鐘解決方案，助力通信產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

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5G基站高精度同步｜YXC揚(yáng)興科技TCXO構(gòu)建可靠時間基準(zhǔn)2026-04-28 20:33

YXC揚(yáng)興科技溫補(bǔ)晶振（TCXO/VCTCXO）系列產(chǎn)品，憑借高精度、高穩(wěn)定、寬溫適配等核心優(yōu)勢，為基站通信提供高精度同步解決方案，以可靠的時間基準(zhǔn)賦能基站網(wǎng)絡(luò)高質(zhì)量運(yùn)行。

5G基站晶振溫補(bǔ)晶振
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智能割草機(jī)器人高精度守時方案：YSN8130 RTC芯片應(yīng)用解析2026-04-27 20:54

精準(zhǔn)時序是智能割草機(jī)器人任務(wù)調(diào)度、導(dǎo)航與安全管控的核心支撐。YXC揚(yáng)興科技YSN8130憑借高可靠、超低功耗、小型化等優(yōu)勢，全面適配戶外割草機(jī)器人計時應(yīng)用場景。

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充電寶新國標(biāo)適配：YXC揚(yáng)興科技RTC實(shí)現(xiàn)高性價比與快速合規(guī)2026-04-24 16:45

新國標(biāo)中有三項(xiàng)關(guān)鍵條款需要依賴精準(zhǔn)、不掉電的時間基準(zhǔn)，以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)追溯、智能控制與壽命管理。本文將解讀相關(guān)要求，并重點(diǎn)介紹YXC揚(yáng)興科技專為消費(fèi)電子設(shè)計的實(shí)時時鐘（RTC）芯片——YSN8563系列，助力廠商以低成本、小改動滿足新國標(biāo)要求。

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RTC時鐘芯片電路圖原理解析2026-04-21 19:35

RTC（Real-TimeClock，代表型號YSN8900,YSN8025,YSN8010）芯片是一種專門用于精準(zhǔn)計時、掉電續(xù)時的專用集成電路，其核心功能是提供穩(wěn)定的秒、分、時、日、月、周、年計時，且在主電源掉電后，通過備用電池維持計時不中斷，廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、工控設(shè)備、智能儀表、消費(fèi)電子等場景。

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晶振分頻的本質(zhì)是通過數(shù)字分頻電路（由觸發(fā)器、計數(shù)器、鎖相環(huán)等器件組成），對晶振輸出的原始時鐘信號進(jìn)行“計數(shù)-翻轉(zhuǎn)-輸出”的邏輯操作，將高頻信號按整數(shù)倍（或精準(zhǔn)小數(shù)倍）降低為低頻信號。

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YXC揚(yáng)興高精度時鐘溫補(bǔ)晶振：決定機(jī)器人性能上限的關(guān)鍵應(yīng)用2026-04-15 20:19

YXC揚(yáng)興科技溫補(bǔ)晶振（TCXO）與壓控溫補(bǔ)晶振（VCTCXO），通過ppm級頻率穩(wěn)定度與低相位噪聲，為機(jī)器人系統(tǒng)提供工程級可靠的時間參考。

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石英晶體振蕩器（晶振）知識合集2026-04-10 15:42

按晶振的功能和實(shí)現(xiàn)技術(shù)的不同，分為溫度補(bǔ)償晶振（TCXO）、壓控晶振（VCXO）、恒溫晶振（OCXO）。

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RTC實(shí)時時鐘：實(shí)現(xiàn)智能掃地機(jī)器人精準(zhǔn)作業(yè)與定時2026-03-30 17:12

掃地機(jī)器人對定時清掃、低功耗待機(jī)、掉電記憶、結(jié)構(gòu)緊湊有著嚴(yán)苛要求，YSN8130系列RTC憑借全方位性能優(yōu)勢，完美適配掃地機(jī)器人的設(shè)計需求。

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晶振啟動時間優(yōu)化指南：Q值、負(fù)載電容與電路設(shè)計2026-03-27 17:48

溫度和電源電壓的穩(wěn)定性，也會影響晶振的啟動時間。溫度對晶振的物理特性有顯著影響，在極端溫度（尤其是低溫）環(huán)境下，晶振的響應(yīng)會變慢，導(dǎo)致起動時間明顯延長；電源電壓的波動或噪聲會直接影響振蕩電路的穩(wěn)定性，電壓不穩(wěn)可能導(dǎo)致晶振起動困難或起動時間變長。

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