E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)包含SGZ21（華瑞高）突發(fā)脈沖發(fā)生器，

SGZ21能產(chǎn)生連續(xù)的類似于Burst或者ESD的干擾脈沖，

脈沖的上升沿時(shí)間為2ns，下降沿時(shí)間為約10ns。

這些脈沖包含的能量比2/50ns的Burst脈沖【根據(jù)EN 61000-4-4】或ESD【根據(jù)EN 61000-4-2】脈沖小，

因此能在不損壞被測(cè)設(shè)備的情況下，把干擾直接耦合到電子模塊內(nèi)。

由于SGZ21（ｈｏｒｉｇｏｌ）產(chǎn)生的脈沖，上升沿時(shí)間短，峰值電壓也比較低，所以這些干擾對(duì)被測(cè)設(shè)備的影響，是和EN 61000-4-4的Burst脈沖的影響類似的。

      E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)中SGZ21脈沖的幅度是連續(xù)變化的。

峰值在0－1500V之間，是按統(tǒng)計(jì)平均分布的。

利用這種方法，配合傳感器能對(duì)模塊進(jìn)行特別快速的抗干擾性能評(píng)估（脈沖率測(cè)試法－見2.5節(jié)），

為此，發(fā)生器內(nèi)置了一個(gè)帶光纖（2.2mm塑料光纖）輸入的計(jì)數(shù)器。 
同時(shí)SGZ21采用電氣隔離（無PE參考）的對(duì)稱輸出。

干擾脈沖能被容性耦合，極性可變。這樣，就能采用各種耦合方式，例如： 
－把發(fā)生器的輸出直接連接到被測(cè)物的GND系統(tǒng)上，把干擾電流直接注入到GND系統(tǒng)。 －把干擾電流注入到GND，然后從VCC返回。 
－干擾電流可以注入到變壓器、分配器或者光耦的初級(jí)，從次級(jí)返回（在工作電壓大于42V時(shí)，對(duì)SGZ21要有相應(yīng)的保護(hù)） 
連接到發(fā)生器的場(chǎng)源，可以很好的定位被測(cè)設(shè)備的臨界結(jié)構(gòu)。 

       E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)利用場(chǎng)源，把burst信號(hào)轉(zhuǎn)換為很小區(qū)域的磁場(chǎng)或者電場(chǎng)，可以注入到被測(cè)設(shè)備內(nèi)部很小的區(qū)域內(nèi)，或者單根電纜上。從而準(zhǔn)確定位被測(cè)設(shè)備內(nèi)部電磁敏感點(diǎn)的位置。 

      不同的電路結(jié)構(gòu)，可能會(huì)對(duì)磁場(chǎng)敏感，也可能會(huì)對(duì)電場(chǎng)敏感。E1中的場(chǎng)源，有的是產(chǎn)生磁場(chǎng)的，有的是產(chǎn)生電場(chǎng)的，這樣可以確認(rèn)EUT是對(duì)哪種類型的干擾場(chǎng)敏感。場(chǎng)源和SGZ21（華瑞高）的連接方法見圖5。除了場(chǎng)源能產(chǎn)生干擾場(chǎng)之外，連接電纜也會(huì)把干擾耦合到EUT并影響測(cè)量結(jié)果。所以，電纜應(yīng)該盡可能放置得離EUT遠(yuǎn)一些。