--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT89-3
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
一、產(chǎn)品簡介:
APM3195PDC-TRLG-VB 是由 VBsemi 生產(chǎn)的 P-Channel 溝道 MOSFET,采用 SOT89-3 封裝。它具有負(fù)壓 -30V、電流 -5.8A 和 RDS(ON) 為 50mΩ@VGS=10V 的特性。絲印為 VBI2338,具有 VGS=20V 和閾值電壓 Vth 為 -0.6~-2V。
二、詳細(xì)參數(shù)說明:
- 型號: APM3195PDC-TRLG-VB
- 品牌: VBsemi
- MOSFET 類型: P-Channel
- 最大負(fù)壓: -30V
- 最大電流: -5.8A
- 開啟電阻: RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V
- 門極-源極電壓: VGS=20V
- 閾值電壓: Vth=-0.6~-2V
- 封裝: SOT89-3
- 絲印: VBI2338

三、應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例:
1. 電源管理模塊:由于其負(fù)壓和電流特性,APM3195PDC-TRLG-VB 可以用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)。
2. 電動車控制系統(tǒng):在電動車的控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于電機驅(qū)動器、充電器和電池管理單元中的功率開關(guān)。
3. 工業(yè)自動化:在工業(yè)自動化設(shè)備中,這款器件可以用于驅(qū)動大功率負(fù)載,如電機控制器、機器人控制器和工業(yè)自動化系統(tǒng)中的開關(guān)電源。
4. 照明應(yīng)用:由于其低開啟電阻和高電流能力,該 MOSFET 適用于 LED 驅(qū)動器和照明系統(tǒng)中的功率開關(guān)。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12