--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
以下是關(guān)于HM6400-VB的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明以及適用領(lǐng)域和模塊的說(shuō)明:
**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
HM6400-VB是VBsemi品牌推出的N-Channel溝道功率MOSFET,采用SOT23-6封裝。該型號(hào)設(shè)計(jì)用于承受高達(dá)30V的漏極-源極電壓和最大6A的漏極電流。具有低導(dǎo)通電阻RDS(ON)為30mΩ(在VGS=10V時(shí)),適用于各種功率控制和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- 漏極-源極電壓(VDS):30V
- 漏極電流容量(ID):6A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth):1.2V
- 封裝:SOT23-6

**適用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**:HM6400-VB適用于電池管理系統(tǒng)中的電池保護(hù)和充放電控制。其低導(dǎo)通電阻和適中的漏極電壓和電流容量使其成為BMS中的重要組件,確保電池的安全充放電和穩(wěn)定運(yùn)行。
2. **電源開(kāi)關(guān)**:在電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中,HM6400-VB可以用作開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高閾值電壓使其適用于要求高效率和穩(wěn)定性能的電源開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)。
3. **汽車(chē)電子**:在汽車(chē)電子系統(tǒng)中,HM6400-VB可以用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器、LED照明和其他功率控制電路。其低導(dǎo)通電阻和適中的電壓容量使其適用于汽車(chē)電子系統(tǒng)中的各種應(yīng)用。
4. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,HM6400-VB可以用于控制電機(jī)、驅(qū)動(dòng)器和其他功率電子設(shè)備。其高電流容量和低導(dǎo)通電阻使其成為自動(dòng)化系統(tǒng)中的重要組件。
總之,HM6400-VB適用于需要中等功率密度、高效能和穩(wěn)定性能的各種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于電池管理系統(tǒng)、電源開(kāi)關(guān)、汽車(chē)電子和工業(yè)自動(dòng)化。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛