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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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HUFA76419D3S-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: HUFA76419D3S-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

## 產(chǎn)品簡介:

**型號:** HUFA76419D3S-VB  
**絲?。?* VBE1638  
**品牌:** VBsemi  
**封裝:** TO252  

HUFA76419D3S-VB是一款N溝道MOSFET,設(shè)計用于應(yīng)對高壓、高電流的應(yīng)用場景。具有60V的漏極-源極電壓承受能力和45A的漏極電流承受能力,適用于各種功率控制和開關(guān)電路。

## 參數(shù)說明:

- **溝道類型:** N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 60V
- **漏極電流(ID):** 45A
- **導通電阻(RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=10V, 20V
- **閾值電壓(Vth):** 1.8V
- **封裝類型:** TO252  

## 詳細參數(shù)說明:

1. **漏極-源極電壓(VDS):** 該參數(shù)表示MOSFET可以承受的最大漏極-源極電壓,即在正常工作狀態(tài)下,電壓不能超過該值,否則可能會損壞器件。

2. **漏極電流(ID):** 表示MOSFET能夠承受的最大漏極電流,即在正常工作狀態(tài)下,電流不能超過該值,否則可能會導致器件過熱或損壞。

3. **導通電阻(RDS(ON)):** 這是MOSFET在導通狀態(tài)下的電阻值,也稱為導通電阻。低導通電阻意味著更小的功率損耗和更高的效率。

4. **閾值電壓(Vth):** 這是MOSFET的門閾電壓,表示當施加在柵極上的電壓超過此值時,器件開始導通。

## 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:

1. **電源模塊:** HUFA76419D3S-VB可用于開關(guān)電源模塊中的功率開關(guān)部分,幫助實現(xiàn)高效率和高性能的電源設(shè)計。

2. **電機驅(qū)動:** 在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于電機控制電路,實現(xiàn)高效能的電機控制和調(diào)速功能。

3. **電動車電池管理系統(tǒng)(BMS):** 在電動車電池管理系統(tǒng)中,HUFA76419D3S-VB可用于電池充放電控制和保護電路,確保電池系統(tǒng)的安全運行。

4. **LED照明:** 在LED照明驅(qū)動電路中,這款MOSFET可用于調(diào)光和控制LED燈的亮度,實現(xiàn)燈光的亮度調(diào)節(jié)和節(jié)能控制。

5. **工業(yè)自動化:** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,HUFA76419D3S-VB可用于驅(qū)動各種執(zhí)行器和傳感器,實現(xiàn)自動化控制和數(shù)據(jù)采集。

HUFA76419D3S-VB的特性使其適用于多種領(lǐng)域和模塊,為電子系統(tǒng)提供了穩(wěn)定可靠的性能。

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