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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PMN22XN-VB一種N—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號(hào): PMN22XN-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
PMN22XN-VB是VBsemi品牌的N-Channel溝道MOSFET,具有30V的漏極-源極電壓承受能力,最大漏極電流為6A。其特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和1.2V的閾值電壓(Vth),適用于低電壓、中等電流的應(yīng)用場(chǎng)景。封裝采用SOT23-6,適用于小型電子設(shè)備和電路板的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **N-Channel溝道**: 表明器件為N溝道MOSFET,適用于低壓、中等電流的應(yīng)用。
- **漏極-源極電壓(VDS)**: 30V,表示器件可承受的最大工作電壓。
- **漏極電流(ID)**: 最大6A,表示器件在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠通過的最大電流。
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 在VGS=10V時(shí)為30mΩ,在VGS=20V時(shí)為30mΩ,說明了器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻特性。
- **閾值電壓(Vth)**: 1.2V,指示了器件開始導(dǎo)通的門極電壓。
- **封裝**: SOT23-6,適用于小型電子設(shè)備和電路板的應(yīng)用,具有良好的集成性和焊接性能。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **移動(dòng)設(shè)備**: PMN22XN-VB可用于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的電源管理模塊,實(shí)現(xiàn)電池與設(shè)備之間的高效能量轉(zhuǎn)換。
2. **小型電子產(chǎn)品**: 適用于便攜式音頻設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)等小型電子產(chǎn)品中的功率開關(guān)控制。
3. **電源轉(zhuǎn)換器**: 在低功率電源轉(zhuǎn)換器中,如USB充電器、小型電源適配器等,用作開關(guān)管以提供穩(wěn)定的輸出電壓。
4. **醫(yī)療設(shè)備**: 在醫(yī)療設(shè)備中的電池管理、電源控制等方面的應(yīng)用,確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。

以上示例說明了PMN22XN-VB在移動(dòng)設(shè)備、小型電子產(chǎn)品、電源轉(zhuǎn)換器和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其低電壓、中等電流特性使其成為小型電子設(shè)備中的理想選擇,提供高效、穩(wěn)定的功率開關(guān)控制。

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