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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI3424BDV-T1-GE3-VB一種N—Channel溝道SOT23-6封裝MOS管

型號(hào): SI3424BDV-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi N-Channel MOSFET SI3424BDV-T1-GE3-VB**

- **絲印:** VB7322
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - N-Channel溝道
 - 額定電壓:30V
 - 額定電流:6A
 - 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓(Vth):1.2V
- **封裝:** SOT23-6

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

SI3424BDV-T1-GE3-VB是VBsemi推出的N-Channel MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻和高電流特性。它適用于多種應(yīng)用,包括電源管理、電池管理、驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)電路等。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

1. **額定電壓(VDS):** 30V的額定電壓使得該MOSFET適用于中低壓電路設(shè)計(jì),例如電池管理和低壓開(kāi)關(guān)電路。

2. **額定電流(ID):** 6A的額定電流表明它能夠處理中等功率負(fù)載,適用于大多數(shù)低至中功率電路。

3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在10V的柵極-源極電壓下,導(dǎo)通電阻為30mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件會(huì)產(chǎn)生較低的功率損耗。

4. **閾值電壓(Vth):** 閾值電壓為1.2V,這使得器件易于控制,適用于高效率的電路設(shè)計(jì)。

**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源管理:** 可用于低壓電源管理模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器、穩(wěn)壓器和開(kāi)關(guān)模塊。

2. **電池管理:** 適用于鋰電池管理系統(tǒng)中的充放電控制、保護(hù)和電池平衡電路。

3. **驅(qū)動(dòng)器:** 用于驅(qū)動(dòng)各種負(fù)載的電路,如電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、LED驅(qū)動(dòng)器和風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)器等。

4. **開(kāi)關(guān)電路:** 用于各種開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì),如開(kāi)關(guān)電源、電子開(kāi)關(guān)和逆變器等。

綜上所述,SI3424BDV-T1-GE3-VB是一款性能可靠的N-Channel MOSFET,適用于多種低至中功率的電源管理、電池管理、驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用。

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