日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

SI3588DV-T1-GE3-VB一款2個N+P—Channel溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: SI3588DV-T1-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6封裝
  • 溝道 2個N+P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**
SI3588DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的雙通道MOSFET,具有兩個N-Channel和兩個P-Channel溝道。它能夠在寬廣的電壓范圍內(nèi)提供可靠的功率控制和管理,適用于多種電路設(shè)計。該器件采用SOT23-6封裝,適用于空間受限的應(yīng)用場景。

**詳細參數(shù)說明:**
- 通道類型:2個N-Channel溝道,2個P-Channel溝道
- 額定電壓(VDS):±20V
- 額定電流(ID):
 - N-Channel:7A
 - P-Channel:-4.5A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):
 - N-Channel:20mΩ @ VGS=4.5V
 - P-Channel:70mΩ @ VGS=4.5V
- 門極電壓(VGS):20V
- 門極閾值電壓(Vth):
 - N-Channel:0.71V
 - P-Channel:-0.81V
- 封裝類型:SOT23-6

**適用領(lǐng)域和模塊:**
SI3588DV-T1-GE3-VB適用于多種領(lǐng)域和模塊,以下是幾個典型的應(yīng)用示例:

1. **功率管理模塊**:該器件的雙通道設(shè)計使其非常適合用于功率開關(guān)和功率管理,可用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。

2. **電機驅(qū)動器**:SI3588DV-T1-GE3-VB可用于電機驅(qū)動器,包括直流電機驅(qū)動、步進電機驅(qū)動等,適用于工業(yè)自動化、汽車電子等領(lǐng)域。

3. **電源選擇開關(guān)**:由于器件包含N-Channel和P-Channel溝道,可用作電源選擇開關(guān),實現(xiàn)電路中不同電源的切換功能,例如電池供電和外部電源供電之間的切換。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池充放電管理系統(tǒng)中,SI3588DV-T1-GE3-VB可用于充電和放電控制,幫助實現(xiàn)電池充電、放電過程中的電流和電壓管理。

綜上所述,SI3588DV-T1-GE3-VB適用于功率管理、電機驅(qū)動、電源選擇和電池管理等領(lǐng)域,在各種電子產(chǎn)品中發(fā)揮重要作用,提供高效、可靠的功率控制和管理功能。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    762瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    631瀏覽量
通辽市| 简阳市| 沭阳县| 衡阳县| 甘谷县| 错那县| 射洪县| 富阳市| 德昌县| 金门县| 和平区| 泾源县| 闵行区| 贡嘎县| 唐海县| 桂平市| 绥江县| 韩城市| 绥江县| 东源县| 兴海县| 财经| 邹城市| 弥勒县| 广东省| 棋牌| 博客| 颍上县| 阜城县| 洱源县| 五常市| 岳阳市| 郎溪县| 会同县| 宜兰市| 开原市| 工布江达县| 柳州市| 交口县| 北票市| 汾阳市|