--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT223封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
**VBsemi P-Channel MOSFET SIHFL9014T-E3-VB**
- **絲?。?* VBJ2658
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
- P—Channel溝道
- 額定電壓:-60V
- 額定電流:-6.5A
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):58mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth):-1V 至 -3V
- **封裝:** SOT223

**產(chǎn)品簡介:**
SIHFL9014T-E3-VB是一款P-Channel MOSFET,由VBsemi生產(chǎn)。該型號具有低電壓和高電流的特點,適用于需要反向極性電壓的電路設(shè)計。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
1. **額定電壓(VDS):** -60V的額定電壓使得該MOSFET適用于負(fù)載開關(guān)和反向電源等應(yīng)用場景。
2. **額定電流(ID):** -6.5A的額定電流可滿足中等到大功率負(fù)載的需求,如電機驅(qū)動器和電源開關(guān)等。
3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在10V的柵極-源極電壓下,導(dǎo)通電阻為58mΩ,提供較低的導(dǎo)通損耗,有助于降低功率消耗和提高效率。
4. **閾值電壓(Vth):** 閾值電壓范圍從-1V至-3V,使得器件易于控制,適用于各種電路設(shè)計。
**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
1. **電源管理:** 用于反向電源開關(guān)、電源逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。
2. **電機驅(qū)動器:** 適用于小型到中等功率的電機驅(qū)動器和電機控制模塊。
3. **負(fù)載開關(guān):** 用于負(fù)載開關(guān)模塊和電源反向電路等。
綜上所述,SIHFL9014T-E3-VB是一款高性能的P-Channel MOSFET,適用于各種需要反向極性電壓和中等功率的電路設(shè)計。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12