日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

072N15N-VB一種N-Channel溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): 072N15N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**

VBsemi的072N15N-VB是一款TO263封裝的單N溝道場(chǎng)效應(yīng)管。它具有150V的漏極-源極電壓(VDS),20V的門(mén)-源電壓(VGS,±V),3V的閾值電壓(Vth),以及在VGS=10V時(shí)為7.5mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),并且能夠承受128A的漏極電流(ID)。該產(chǎn)品采用槽道技術(shù)(Trench Technology)制造。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**

- 封裝:TO263
- 構(gòu)型:?jiǎn)蜰溝道
- VDS(漏極-源極電壓):150V
- VGS(門(mén)-源電壓):20V(±V)
- Vth(閾值電壓):3V
- RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):7.5mΩ @ VGS=10V
- ID(漏極電流):128A
- 技術(shù):槽道技術(shù)(Trench)

**適用領(lǐng)域和模塊示例:**

1. **電源模塊**:072N15N-VB可用作開(kāi)關(guān)電源中的功率開(kāi)關(guān)管,用于轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)電源電壓。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:由于其較低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流能力,該器件可用于驅(qū)動(dòng)要求較高的直流電機(jī)。
3. **照明應(yīng)用**:在LED驅(qū)動(dòng)電路中,它可以作為電流調(diào)節(jié)器,提供可靠的功率控制。
4. **電動(dòng)汽車(chē)控制**:用于電動(dòng)汽車(chē)中的電機(jī)控制和電池管理系統(tǒng),提供高效的功率開(kāi)關(guān)。
5. **工業(yè)自動(dòng)化**:可用于工業(yè)設(shè)備和機(jī)器人的功率開(kāi)關(guān),確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

以上是對(duì)072N15N-VB產(chǎn)品的簡(jiǎn)介、參數(shù)說(shuō)明和適用領(lǐng)域和模塊的說(shuō)明。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性?xún)r(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    766瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性?xún)r(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    631瀏覽量
龙川县| 武冈市| 民丰县| 甘泉县| 厦门市| 大港区| 湖北省| 织金县| 儋州市| 福清市| 灯塔市| 驻马店市| 冕宁县| 嘉黎县| 蚌埠市| 仁布县| 新野县| 高雄县| 宜君县| 黄冈市| 南华县| 焉耆| 崇文区| 黄浦区| 桃江县| 鸡西市| 商河县| 徐闻县| 洪泽县| 永胜县| 阜宁县| 临猗县| 东兴市| 崇州市| 雅江县| 金昌市| 陆川县| 建瓯市| 双峰县| 瑞安市| 虹口区|