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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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084P03NS3E-VB一種P-Channel溝道DFN8(5X6)封裝MOS管

型號(hào): 084P03NS3E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 084P03NS3E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**型號(hào)**: 084P03NS3E-VB  
**封裝**: DFN8(5X6)  
**配置**: 單一P溝道  
**技術(shù)**: Trench

084P03NS3E-VB 是一款高性能P溝道MOSFET,具有-30V的漏源電壓(VDS)和-120A的連續(xù)漏極電流(ID)。該器件采用了Trench工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高性能特性。其門(mén)極閾值電壓(Vth)為-3V,適合用于負(fù)極性電源控制。

### 084P03NS3E-VB 參數(shù)說(shuō)明

- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門(mén)極閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 4mΩ @ VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: -120A
- **脈沖漏極電流 (IDM)**: -480A
- **功耗 (PD)**: 300W
- **工作溫度范圍 (Tj)**: -55°C ~ 175°C
- **封裝類(lèi)型**: DFN8(5X6)
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

**電源逆變器**
084P03NS3E-VB 可用于負(fù)極性電源逆變器中的開(kāi)關(guān)元件,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,適用于太陽(yáng)能逆變器和UPS系統(tǒng)。

**電動(dòng)汽車(chē)充電樁**
在負(fù)極性電動(dòng)汽車(chē)充電樁中,該MOSFET可以用于開(kāi)關(guān)電源,控制充電電流,確保充電過(guò)程高效穩(wěn)定。

**電池管理系統(tǒng)**
在需要負(fù)極性電池管理的場(chǎng)合,如電動(dòng)汽車(chē)電池管理系統(tǒng)(BMS)中,084P03NS3E-VB 可用于控制電池的充放電過(guò)程,確保系統(tǒng)安全穩(wěn)定。

**高頻開(kāi)關(guān)電源**
在高頻開(kāi)關(guān)電源中,該器件可以用作高性能開(kāi)關(guān)元件,提供高效的電源開(kāi)關(guān)功能,適用于電信和工業(yè)設(shè)備。

**醫(yī)療設(shè)備**
對(duì)于需要負(fù)極性電源控制的醫(yī)療設(shè)備,如X射線機(jī)和核磁共振儀,084P03NS3E-VB 可用于控制電源開(kāi)關(guān),確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

通過(guò)以上示例,可以看出084P03NS3E-VB 在負(fù)極性電源控制領(lǐng)域具有廣泛的適用性,能夠提供可靠的性能和穩(wěn)定的工作。

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