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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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10N65ZL-TF1-T-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 10N65ZL-TF1-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 10N65ZL-TF1-T-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

10N65ZL-TF1-T-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝。這款MOSFET具有650V的漏源極電壓(VDS),能夠承受高壓環(huán)境中的操作。其柵極電壓(VGS)為±30V,閾值電壓(Vth)為3.5V,具備良好的開(kāi)關(guān)性能。10N65ZL-TF1-T-VB 在VGS=10V時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為830mΩ,能夠提供高達(dá)10A的持續(xù)漏極電流(ID),適用于各種需要高效能和可靠性的電力電子應(yīng)用中。該器件采用平面工藝技術(shù),確保了其優(yōu)異的性能和耐用性。

### 10N65ZL-TF1-T-VB 參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)名稱           | 數(shù)值         | 單位          |
| ------------------ | ------------ | ------------- |
| 封裝類型           | TO220F       | -             |
| 配置               | 單N溝道      | -             |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 650          | V             |
| 柵極電壓 (VGS)     | 30(±)      | V             |
| 閾值電壓 (Vth)     | 3.5          | V             |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 830          | mΩ @ VGS=10V  |
| 漏極電流 (ID)      | 10           | A             |
| 技術(shù)               | 平面工藝     | -             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電動(dòng)汽車充電樁**:
  10N65ZL-TF1-T-VB 可用作電動(dòng)汽車充電樁中的功率開(kāi)關(guān)元件。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻特性,使其能夠在高功率的充電樁中提供可靠的性能,確??焖佟⒏咝У某潆娺^(guò)程。

2. **UPS電源**:
  在不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,10N65ZL-TF1-T-VB 可用于穩(wěn)定輸出電壓并保護(hù)設(shè)備免受電力波動(dòng)和突然斷電的影響。其高電流處理能力和穩(wěn)定性,能夠確保UPS系統(tǒng)在關(guān)鍵時(shí)刻提供持續(xù)的電力支持。

3. **太陽(yáng)能逆變器**:
  這款MOSFET 適用于太陽(yáng)能逆變器中的功率開(kāi)關(guān)電路。其高效能和可靠性,使其能夠有效地將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能,提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的能源利用率。

4. **工業(yè)電源**:
  在工業(yè)電源設(shè)備中,10N65ZL-TF1-T-VB 可用于驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載和穩(wěn)定輸出電壓。其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻,能夠滿足工業(yè)設(shè)備對(duì)高效能和可靠性的要求。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,10N65ZL-TF1-T-VB 展示了其在多個(gè)領(lǐng)域的多功能性和高性能表現(xiàn),是電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的元件之一。

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