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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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10P03L-VB TO251一款P-Channel溝道TO251的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 10P03L-VB TO251
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO251封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是對(duì)10P03L-VB TO251產(chǎn)品的詳細(xì)介紹:

### 產(chǎn)品簡介:
10P03L-VB是一款單P溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,具有-30V的漏極-源極電壓(VDS),并且在VGS為20V(±)時(shí)具有-1.7V的閾值電壓(Vth)。它具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)=72mΩ@VGS=4.5V, 56mΩ@VGS=10V)和高漏極電流(ID=-20A)的特點(diǎn),適用于多種領(lǐng)域和模塊。

### 參數(shù)說明:
- **包裝類型(Package)**:TO251
- **器件類型(Configuration)**:單P溝道
- **漏極-源極電壓(VDS)**:-30V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:-1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:72mΩ @ VGS=4.5V, 56mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID)**:-20A
- **技術(shù)(Technology)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **電源管理**:由于10P03L-VB具有較高的漏極-源極電壓和漏極電流能力,適合用于負(fù)載開關(guān)和電源管理中。
2. **電池保護(hù)**:在充電電池保護(hù)電路中,可用作開關(guān)器件,保護(hù)電池不受過充或過放。
3. **汽車電子**:在汽車電子系統(tǒng)中,如發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元(ECU)和照明控制,可用作功率開關(guān)器件,提供高效的電源控制。
4. **LED驅(qū)動(dòng)器**:在LED照明驅(qū)動(dòng)器中,10P03L-VB可以用作功率MOSFET,提供高效的電源控制。

以上是對(duì)10P03L-VB TO251產(chǎn)品的簡介、參數(shù)說明和應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的示例說明。

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