--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
110N06NS3-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用DFN8(5x6)封裝。該器件具有較高的漏源電壓和較低的導(dǎo)通電阻,非常適合于電源管理和高效轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其緊湊的封裝設(shè)計(jì)使其特別適用于空間受限的電子設(shè)備中。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:110N06NS3-VB
- **封裝**:DFN8 (5x6)
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓(V\(_{DS}\))**:60V
- **最大柵源電壓(V\(_{GS}\))**:±20V
- **閾值電壓(V\(_{th}\))**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻(R\(_{DS(on)}\))**:
- 13mΩ @ V\(_{GS}\) = 4.5V
- 10mΩ @ V\(_{GS}\) = 10V
- **最大漏極電流(I\(_{D}\))**:50A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊
1. **消費(fèi)電子**:
- **智能手機(jī)和筆記本電腦**:110N06NS3-VB適用于電池管理系統(tǒng)和電源調(diào)節(jié)模塊,幫助提升電池壽命和設(shè)備性能。
- **智能家居設(shè)備**:在智能家居控制器中,作為開關(guān)和電源調(diào)節(jié)器使用,保證設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和低功耗。
2. **工業(yè)自動化**:
- **機(jī)器人和自動化系統(tǒng)**:用于電機(jī)驅(qū)動電路,提供高效的功率傳輸和控制。
- **PLC系統(tǒng)**:在可編程邏輯控制器中,作為電源開關(guān)和保護(hù)電路,確保系統(tǒng)的可靠性和安全性。
3. **汽車電子**:
- **電動汽車**:適用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和充電模塊,提升充電效率和電池使用壽命。
- **車載娛樂系統(tǒng)**:在車載音響和娛樂系統(tǒng)中,作為功率調(diào)節(jié)器使用,確保音質(zhì)和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
4. **電源管理**:
- **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:110N06NS3-VB用于升壓和降壓轉(zhuǎn)換器電路,提供高效的電源轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
- **AC-DC電源適配器**:適用于各種電源適配器中,提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。
通過這些詳細(xì)的參數(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域的說明,希望能幫助你更好地理解110N06NS3-VB型號MOSFET的特性和應(yīng)用場景。如果還有其他問題,請隨時告知!
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它