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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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11N65C3-VB TO220F一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 11N65C3-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 11N65C3-VB TO220F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品概述**:
11N65C3-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用Plannar技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高電壓承受能力。這款MOSFET封裝在TO220F中,適用于需要高效率和高可靠性的高壓電源管理應(yīng)用。

**產(chǎn)品特點(diǎn)**:
- **高電壓承受能力**:VDS為650V,適用于高壓應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±30V,提供更大的設(shè)計(jì)靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為3.5V,易于驅(qū)動(dòng)。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為320mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **高電流能力**:ID為20A,適用于高電流應(yīng)用。

### 11N65C3-VB TO220F 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:320mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:20A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電動(dòng)汽車**:
在電動(dòng)汽車中,11N65C3-VB可用作電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率開關(guān)元件。由于其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,可以有效減少功率損耗,提高整體系統(tǒng)的效率。

**工業(yè)電源**:
在工業(yè)電源系統(tǒng)中,該MOSFET可用于各種電源轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。其高電壓承受能力和適中的電流能力,適用于各種工業(yè)環(huán)境下的電力控制應(yīng)用。

**UPS系統(tǒng)**:
在UPS系統(tǒng)中,該MOSFET可用于電源開關(guān)和電池管理。其高電壓承受能力和低導(dǎo)通電阻,有助于提高UPS系統(tǒng)的效率和可靠性,確保電力供應(yīng)的連續(xù)性。

**太陽(yáng)能逆變器**:
在太陽(yáng)能逆變器中,11N65C3-VB可用作開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電能的轉(zhuǎn)換和傳輸。其高效率和高可靠性,有助于提高太陽(yáng)能系統(tǒng)的整體性能。

**工業(yè)控制**:
在工業(yè)控制系統(tǒng)中,該MOSFET可用于各種電源轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,以實(shí)現(xiàn)高效率和高可靠性的電力轉(zhuǎn)換和控制。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,可以看出11N65C3-VB MOSFET在各個(gè)領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足高性能和高可靠性需求。

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