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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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120N4LF6-VB TO252一款N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 120N4LF6-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 120N4LF6-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

VBsemi的120N4LF6-VB是一款單N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝技術(shù)。這種MOSFET在40V的漏源電壓(VDS)和20V(±V)的柵源電壓(VGS)下工作。其開(kāi)態(tài)電阻(RDS(ON))在柵源電壓為4.5V時(shí)為6mΩ,在柵源電壓為10V時(shí)為5mΩ。該器件的額定電流(ID)為85A,采用了Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和高功率承受能力的特點(diǎn),適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景。

### 120N4LF6-VB MOSFET 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào):** 120N4LF6-VB
- **封裝:** TO252
- **配置:** 單N溝道
- **漏源電壓(VDS):** 40V
- **柵源電壓(VGS):** 20(±V)
- **閾值電壓(Vth):** 2.5V
- **開(kāi)態(tài)電阻(RDS(ON))@VGS=4.5V:** 6mΩ
- **開(kāi)態(tài)電阻(RDS(ON))@VGS=10V:** 5mΩ
- **額定電流(ID):** 85A
- **技術(shù):** Trench

### 120N4LF6-VB MOSFET 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源管理:**
  120N4LF6-VB MOSFET適用于高功率的電源管理模塊,如工業(yè)電源和服務(wù)器電源。其低導(dǎo)通電阻和高功率承受能力使其能夠處理大功率電源管理需求。

2. **電動(dòng)車(chē)輛:**
  在電動(dòng)車(chē)輛中,如電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)自行車(chē),120N4LF6-VB MOSFET可用于控制電動(dòng)機(jī)的電流。其高額定電流和低導(dǎo)通電阻使其能夠高效地控制電動(dòng)車(chē)輛的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

3. **工業(yè)自動(dòng)化:**
  在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,120N4LF6-VB MOSFET可用于控制各種工業(yè)設(shè)備的電源和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。其高功率承受能力和低導(dǎo)通電阻確保了工業(yè)設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **太陽(yáng)能逆變器:**
  在太陽(yáng)能逆變器中,120N4LF6-VB MOSFET可用于控制逆變器的開(kāi)關(guān)。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其能夠在太陽(yáng)能系統(tǒng)中提供可靠的電源轉(zhuǎn)換。

通過(guò)這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的實(shí)例,120N4LF6-VB MOSFET展示了其在高功率需求場(chǎng)景中的適用性,成為各類(lèi)電子系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。

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