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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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120N4LF6-VB TO263一款N-Channel溝道TO263的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 120N4LF6-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
120N4LF6-VB是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,具有40V的漏極-源極電壓(VDS)、20V的柵極-源極電壓(VGS)、2.5V的閾值電壓(Vth)、6mΩ@VGS=4.5V和5mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、以及100A的漏極電流(ID)。適用于需要高性能MOSFET的電路設(shè)計(jì)。

### 參數(shù)說(shuō)明:
- **型號(hào):** 120N4LF6-VB
- **封裝:** TO263
- **構(gòu)型:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 40V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 100A
- **技術(shù):** Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源模塊:** 由于120N4LF6-VB具有低導(dǎo)通電阻和高漏極電流,適用于高性能電源模塊,如開(kāi)關(guān)電源、DC-DC變換器等。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng):** 該MOSFET可用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路中,其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流特性可提供高效率和高性能。
3. **照明應(yīng)用:** 120N4LF6-VB適用于LED照明驅(qū)動(dòng)器和照明控制電路,其性能可提高照明系統(tǒng)的效率和可靠性。
4. **電動(dòng)工具:** 由于120N4LF6-VB具有高漏極電流和低導(dǎo)通電阻,可用于電動(dòng)工具的電源控制和驅(qū)動(dòng)電路中,提供高效率和高性能。
5. **汽車電子:** 在汽車電子領(lǐng)域,120N4LF6-VB可用于汽車電子控制單元(ECU)中的電源開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)器,以提高汽車電子系統(tǒng)的性能和效率。

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