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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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123N10LS-VB一款N-Channel溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 123N10LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

VBsemi的123N10LS-VB是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),具有100V的漏極-源極電壓(VDS)和20V的柵極-源極電壓(VGS)。該器件的漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵極-源極電壓下表現(xiàn)優(yōu)異,如在VGS=4.5V時(shí)為12.36mΩ,在VGS=10V時(shí)為9mΩ。此外,123N10LS-VB具有65A的漏極電流(ID)和2.5V的閾值電壓(Vth)。

### 參數(shù)說明

- **型號(hào)**: 123N10LS-VB
- **封裝**: DFN8(5X6)
- **結(jié)構(gòu)**: 單N溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**: 100V
- **VGS(柵極-源極電壓)**: 20V(±)
- **Vth(閾值電壓)**: 2.5V
- **RDS(ON)(漏極-源極導(dǎo)通電阻)**: 
 - VGS=4.5V時(shí):12.36mΩ
 - VGS=10V時(shí):9mΩ
- **ID(漏極電流)**: 65A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源模塊**: 由于123N10LS-VB具有低導(dǎo)通電阻和高漏極電流,適用于高性能電源模塊,如DC-DC變換器和電源管理模塊。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,MOSFET承擔(dān)著開關(guān)電流的關(guān)鍵作用。123N10LS-VB可用于高效驅(qū)動(dòng)各種類型的電機(jī),如直流電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)。
3. **照明應(yīng)用**: 由于其高漏極電流和低導(dǎo)通電阻,123N10LS-VB適用于LED照明驅(qū)動(dòng)器和控制器,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和照明控制。
4. **汽車電子**: 在汽車電子領(lǐng)域,123N10LS-VB可用于制動(dòng)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電器和車載電子設(shè)備的功率開關(guān)。
5. **工業(yè)自動(dòng)化**: 由于其高電壓和電流容量,該器件適用于工業(yè)自動(dòng)化中的高功率開關(guān)應(yīng)用,如工廠設(shè)備和機(jī)器人控制。

這些領(lǐng)域和模塊僅是123N10LS-VB可能應(yīng)用的幾個(gè)示例,實(shí)際應(yīng)用取決于具體設(shè)計(jì)要求和環(huán)境。

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