### 產(chǎn)品簡介

123N10N-VB 是一款單通道 N 型 MOSFET，采用溝道（Trench）技術(shù)，適用于高性能應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性，適用于各種領(lǐng)域和模塊的功率控制和開關(guān)電路。

### 參數(shù)說明

- **封裝：** TO263
- **VDS（漏極-源極電壓）：** 100V
- **VGS（柵極-源極電壓）：** ±20V
- **Vth（閾值電壓）：** 2.5V
- **導(dǎo)通電阻：**
 - @VGS=4.5V: 23mΩ
 - @VGS=10V: 10mΩ
- **最大漏極電流（ID）：** 100A

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源模塊：** 123N10N-VB 的高耐壓特性和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于開關(guān)電源模塊中的主開關(guān)。
2. **電機(jī)驅(qū)動：** 在電機(jī)驅(qū)動器中，123N10N-VB 可以用作低電阻、高效率的電源開關(guān)，用于控制電機(jī)的啟停和速度。
3. **電動汽車充電樁：** 由于其高電流和高耐壓特性，123N10N-VB 可以用于電動汽車充電樁中的開關(guān)電源單元，實現(xiàn)快速、高效的充電。

這些示例說明了123N10N-VB 在需要高性能功率控制的各種領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用。

123N10N-VB是一款單通道N型MOSFET，采用溝道技術(shù)，適用于高性能應(yīng)用。具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性，適用于各種領(lǐng)域和模塊的功率控制和開關(guān)電路。

**參數(shù)說明：**
- 封裝：TO263
- VDS（漏極-源極電壓）：100V
- VGS（柵極-源極電壓）：±20V
- Vth（閾值電壓）：2.5V
- RDS(ON)：23mΩ@VGS=4.5V，10mΩ@VGS=10V
- ID（最大漏極電流）：100A

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊：**
1. 電源模塊：用作開關(guān)電源模塊中的主開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動：作為電機(jī)驅(qū)動器中的電源開關(guān)，用于控制電機(jī)的啟停和速度。
3. 電動汽車充電樁：用于充電樁中的開關(guān)電源單元，實現(xiàn)快速、高效的充電。

123N10N-VB適用于需要高性能功率控制的各種領(lǐng)域和模塊。