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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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12CNE8N-VB TO220一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 12CNE8N-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
12CNE8N-VB是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,具有80V的漏極-源極電壓(VDS)、20V的柵極-源極電壓(VGS)、3V的閾值電壓(Vth)、9mΩ@VGS=4.5V和7mΩ@VGS=10V的導通電阻(RDS(ON)),以及100A的漏極電流(ID)。適用于需要高性能、高效率的電路設(shè)計。

### 參數(shù)說明:
- **型號:** 12CNE8N-VB
- **封裝:** TO220
- **構(gòu)型:** 單N溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 80V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 9mΩ @ VGS=4.5V, 7mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流(ID):** 100A
- **技術(shù):** Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊:
1. **電源模塊:** 由于12CNE8N-VB具有低導通電阻和高漏極電流,適用于高性能電源模塊,如開關(guān)電源、DC-DC變換器等。其高效率特性可提高電源系統(tǒng)的整體性能。
2. **電機驅(qū)動:** 該MOSFET可用于電機控制和驅(qū)動電路中,其低導通電阻和高漏極電流特性可提供高效率和高性能,適用于需要高精度控制的電機驅(qū)動系統(tǒng)。
3. **照明應(yīng)用:** 12CNE8N-VB適用于LED照明驅(qū)動器和照明控制電路,其性能可提高照明系統(tǒng)的效率和可靠性,尤其適用于高亮度和長壽命的LED照明設(shè)備。
4. **電動工具:** 由于12CNE8N-VB具有高漏極電流和低導通電阻,可用于電動工具的電源控制和驅(qū)動電路中,提供高效率和高性能,確保電動工具在高負載下的穩(wěn)定運行。
5. **汽車電子:** 在汽車電子領(lǐng)域,12CNE8N-VB可用于汽車電子控制單元(ECU)中的電源開關(guān)和驅(qū)動器,以提高汽車電子系統(tǒng)的性能和效率,滿足汽車行業(yè)對高可靠性和高性能的要求。

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