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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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12N65-VB TO220F一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 12N65-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 12N65-VB TO220F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**產(chǎn)品概述**:
12N65-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用Plannar技術(shù)制造,適用于中高壓范圍的電源管理和功率控制應(yīng)用。其封裝為T(mén)O220F,具有良好的散熱性能和高可靠性。

**產(chǎn)品特點(diǎn)**:
- **高電壓承受能力**:VDS為650V,適用于中高壓應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±30V,提供設(shè)計(jì)靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為3.5V,易于驅(qū)動(dòng)。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為680mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **高電流能力**:ID為12A,適用于中等電流應(yīng)用。

### 12N65-VB TO220F 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:680mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電源管理**:
12N65-VB 可用于電源管理模塊中的功率開(kāi)關(guān)元件,用于實(shí)現(xiàn)高效率的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。適用于服務(wù)器電源、工控電源等領(lǐng)域。

**電動(dòng)工具**:
在電動(dòng)工具中,該MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率開(kāi)關(guān)元件,用于控制電動(dòng)工具的啟停和速度調(diào)節(jié)。適用于電動(dòng)車(chē)充電樁、家用電動(dòng)工具等領(lǐng)域。

**充電樁**:
在電動(dòng)車(chē)充電樁中,可用于控制電動(dòng)車(chē)充電過(guò)程的功率開(kāi)關(guān)元件,適用于家用充電樁、公共充電樁等領(lǐng)域。

**工業(yè)設(shè)備**:
適用于工業(yè)設(shè)備中的電源開(kāi)關(guān)和電機(jī)控制,如變頻器、UPS等領(lǐng)域。

**電力傳輸**:
可用于高壓直流輸電系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件,控制電力傳輸和分配。

通過(guò)以上應(yīng)用實(shí)例,可以看出12N65-VB 在各個(gè)領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿(mǎn)足中高壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

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