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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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12NM50ND-VB TO252一款N-Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 12NM50ND-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 12NM50ND-VB TO252 產(chǎn)品簡介

12NM50ND-VB 是一款由 VBsemi 推出的單N溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝技術(shù)。該器件具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±30V 的柵源電壓 (VGS),閾值電壓 (Vth) 為 3.5V。在柵源電壓為 10V 時,其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 370mΩ。這款 MOSFET 采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)制造,具備較低的導(dǎo)通電阻和適中的電流處理能力,適用于一些中功率的應(yīng)用場合。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù) | 規(guī)格 |
| --- | --- |
| 產(chǎn)品型號 | 12NM50ND-VB |
| 封裝 | TO252 |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 650V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 370mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流 (ID) | 11A |
| 技術(shù) | SJ_Multi-EPI |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

12NM50ND-VB 這款 MOSFET 可適用于一些中功率的應(yīng)用場合,例如:

1. **電源管理模塊**
  - 適用于中功率的開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的能量轉(zhuǎn)換和電流控制。

2. **工業(yè)控制**
  - 適用于一些中功率工業(yè)控制系統(tǒng)中的開關(guān)電路和負(fù)載開關(guān),提供高頻操作和中等電流處理能力。

3. **電動工具**
  - 在一些中功率的電動工具中,如電動鉆、電動鋸等,通過其適中的電流處理能力和穩(wěn)定性,提供可靠的電動工具性能。

4. **太陽能逆變器**
  - 可用作太陽能光伏逆變器中的關(guān)鍵開關(guān)元件,確保太陽能系統(tǒng)的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

5. **電動汽車充電系統(tǒng)**
  - 可用作電動汽車充電系統(tǒng)中的關(guān)鍵開關(guān)元件,確保充電系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定性。

通過以上示例,可以看出 12NM50ND-VB MOSFET 在一些中功率的應(yīng)用場合具備較好的性能和穩(wěn)定性,是許多電子系統(tǒng)中的重要組成部分。

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