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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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1332EU-VB一款N-Channel溝道SC70-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 1332EU-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-3封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 1332EU-VB 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品概述**:
1332EU-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,適用于低壓范圍內(nèi)的功率控制和開關(guān)應(yīng)用。其封裝為SC70-3,體積小巧,適用于有限空間的應(yīng)用場景。

**產(chǎn)品特點(diǎn)**:
- **低電壓承受能力**:VDS為20V,適用于低壓范圍內(nèi)的應(yīng)用。
- **低柵極電壓**:VGS為±12V,提供設(shè)計(jì)靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為0.5~1.5V,易于驅(qū)動(dòng)。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為48mΩ@VGS=2.5V,40mΩ@VGS=4.5V,36mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **低電流能力**:ID為4A,適用于低電流應(yīng)用。

### 1332EU-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:SC70-3
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:20V
- **柵源極電壓(VGS)**:±12V
- **閾值電壓(Vth)**:0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:48mΩ@VGS=2.5V,40mΩ@VGS=4.5V,36mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:4A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**移動(dòng)設(shè)備**:
1332EU-VB 可用于移動(dòng)設(shè)備中的功率管理模塊,如手機(jī)、平板電腦等設(shè)備中的電源管理和功率控制。

**消費(fèi)電子**:
在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,如攝像機(jī)、便攜式音頻設(shè)備等中,該MOSFET可用于功率開關(guān)和功率控制電路中。

**LED照明**:
在LED照明產(chǎn)品中,如手持式LED燈、臺(tái)燈等中,該MOSFET可用于LED驅(qū)動(dòng)電路中的功率開關(guān)元件,控制LED燈的亮度和開關(guān)。

**醫(yī)療設(shè)備**:
適用于醫(yī)療設(shè)備中的電源開關(guān)和控制,如便攜式醫(yī)療設(shè)備、醫(yī)療監(jiān)護(hù)儀器等領(lǐng)域。

**便攜式電源**:
在便攜式電源產(chǎn)品中,如移動(dòng)電源、便攜式充電寶等中,該MOSFET可用于電源管理模塊中的功率開關(guān)元件。

通過以上應(yīng)用實(shí)例,可以看出1332EU-VB 在各個(gè)領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足低壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

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