日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

13N50H-VB TO220一款N-Channel溝道TO220的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 13N50H-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 13N50H-VB TO220 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品概述**:
13N50H-VB 是一款單N溝道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技術(shù)制造,適用于高壓范圍內(nèi)的功率控制應(yīng)用。其封裝為TO220,具有良好的散熱性能和高可靠性。

**產(chǎn)品特點**:
- **高電壓承受能力**:VDS為650V,適用于高壓范圍內(nèi)的應(yīng)用。
- **高柵極電壓**:VGS為±30V,提供設(shè)計靈活性。
- **中閾值電壓**:Vth為3.5V,適中的驅(qū)動要求。
- **低導(dǎo)通電阻**:RDS(ON)為420mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **中電流能力**:ID為11A,適用于中等電流應(yīng)用。

### 13N50H-VB TO220 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:420mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:11A
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

**電源管理**:
13N50H-VB 可用于電源管理模塊中的功率開關(guān)元件,用于實現(xiàn)高效率的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電壓輸出。適用于工業(yè)電源、電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。

**電動汽車充電樁**:
在電動汽車充電樁中,可用于控制充電樁的功率開關(guān)元件,適用于快充電樁、慢充電樁等領(lǐng)域。

**電力傳輸**:
適用于高壓直流輸電系統(tǒng)中的開關(guān)元件,控制電力傳輸和分配。

**電力電子**:
可用于高壓電力電子設(shè)備中的功率開關(guān)元件,如變頻器、逆變器等領(lǐng)域。

**醫(yī)療設(shè)備**:
在醫(yī)療設(shè)備中,可用于高壓電源開關(guān)和電機(jī)控制,如醫(yī)療影像設(shè)備、電子治療設(shè)備等領(lǐng)域。

通過以上應(yīng)用實例,可以看出13N50H-VB 在各個領(lǐng)域和模塊中都有廣泛的應(yīng)用前景,能夠滿足高壓范圍內(nèi)的高性能和高可靠性需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    773瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    633瀏覽量
乌拉特中旗| 叙永县| 泰宁县| 平阴县| 灵丘县| 景谷| 泗洪县| 新巴尔虎左旗| 柘城县| 昌图县| 泸水县| 噶尔县| 潢川县| 保定市| 西盟| 汉源县| 松桃| 新邵县| 天长市| 潞城市| 岳池县| 华宁县| 景德镇市| 搜索| 五大连池市| 定安县| 绥江县| 盘山县| 霍林郭勒市| 成武县| 陕西省| 南澳县| 嘉定区| 塔城市| 海伦市| 尼木县| 云安县| 贵南县| 香河县| 调兵山市| 嘉鱼县|