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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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165N04N-VB一種N-Channel溝道DFN8(3X3)封裝MOS管

型號(hào): 165N04N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(3X3)封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**165N04N-VB**是一款由VBsemi生產(chǎn)的單N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該產(chǎn)品采用DFN8(3x3)封裝,具有優(yōu)越的性能參數(shù),適用于高效能和高可靠性的電源管理系統(tǒng)。165N04N-VB MOSFET的主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和高電流承載能力,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:165N04N-VB
- **封裝**:DFN8(3x3)
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**:40V
- **最大柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:40A
- **技術(shù)**:Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  165N04N-VB在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異。它的低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器和逆變器。由于其低導(dǎo)通電阻,可以減少能量損耗,提高整體系統(tǒng)效率。

2. **汽車電子**:
  在汽車電子領(lǐng)域,165N04N-VB可用于電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向(EPS)系統(tǒng)。其高電流承載能力和耐高壓特性,確保在惡劣的環(huán)境條件下穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **消費(fèi)電子**:
  該MOSFET適用于高性能消費(fèi)電子產(chǎn)品,如筆記本電腦和智能手機(jī)的充電器和電源適配器。其小封裝尺寸和低導(dǎo)通電阻使其能夠集成到緊湊的電路板設(shè)計(jì)中,提供可靠的電源解決方案。

4. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)控制領(lǐng)域,165N04N-VB適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源調(diào)節(jié)器等應(yīng)用。其高電流承載能力和耐用性,能夠滿足工業(yè)環(huán)境中的高要求,確保設(shè)備的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。

165N04N-VB以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用范圍,成為電源管理和電流控制領(lǐng)域的理想選擇。

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