VBsemi 19N10VL-TN3-T-VB TO252 MOSFET產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

VBsemi的19N10VL-TN3-T-VB TO252是一款TO252封裝的單通道N溝道MOSFET。該產(chǎn)品具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），1.8V的閾值電壓（Vth），57mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V和55mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及25A的漏極電流（ID）。采用Trench技術(shù)。

19N10VL-TN3-T-VB TO252詳細(xì)參數(shù)說明：

- 封裝：TO252
- 類型：?jiǎn)瓮ǖ繬溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：100V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V，55mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：25A
- 技術(shù)：Trench

產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例：

1. 電源管理模塊：19N10VL-TN3-T-VB TO252適用于需要高電壓和高電流的電源管理模塊中的功率開關(guān)電路。

2. 汽車電子系統(tǒng)：在汽車電子系統(tǒng)中，19N10VL-TN3-T-VB TO252可以用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)和其他功率控制應(yīng)用，提高系統(tǒng)效率。

3. 工業(yè)控制系統(tǒng)：在需要高電壓和高電流的工業(yè)控制系統(tǒng)中，19N10VL-TN3-T-VB TO252可以提供穩(wěn)定可靠的性能。

4. 電源適配器：由于19N10VL-TN3-T-VB TO252具有較低的導(dǎo)通電阻和高的漏極電流，適用于電源適配器中的功率開關(guān)電路，提高能源轉(zhuǎn)換效率。

以上是關(guān)于VBsemi 19N10VL-TN3-T-VB TO252 MOSFET的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、詳細(xì)參數(shù)說明以及在不同領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例。