### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**28NM50N-VB**是一款單N溝道MOSFET，由VBsemi生產(chǎn)，采用TO220封裝。這款MOSFET具有500V的漏源電壓（VDS）和30V（±）的柵源電壓（VGS）。其開(kāi)啟閾值電壓（Vth）為3.5V，導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）在柵源電壓為10V時(shí)為140mΩ，最大漏極電流（ID）為30A。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，適用于各種高壓高功率應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)                | 規(guī)格                  |
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| 封裝類型            | TO220                |
| 配置                | 單N溝道              |
| 漏源電壓（VDS）     | 500V                 |
| 柵源電壓（VGS）     | 30V（±）              |
| 開(kāi)啟閾值電壓（Vth） | 3.5V                 |
| 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)） | 140mΩ@VGS=10V        |
| 最大漏極電流（ID）  | 30A                  |
| 技術(shù)                | SJ_Multi-EPI         |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **電源逆變器**：28NM50N-VB MOSFET適用于電源逆變器，如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電逆變器。其高漏源電壓和電流能力使其能夠處理高功率的直流-交流轉(zhuǎn)換。

2. **電動(dòng)汽車充電樁**：在電動(dòng)汽車充電樁中，28NM50N-VB MOSFET用于直流充電樁的功率轉(zhuǎn)換和控制。其高壓和高電流能力確保充電過(guò)程的高效率和穩(wěn)定性。

3. **高壓電源模塊**：在需要高壓穩(wěn)定輸出的電源模塊中，28NM50N-VB MOSFET可以用作開(kāi)關(guān)元件。其高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻能力使其能夠提供穩(wěn)定可靠的高壓電源輸出。

4. **感應(yīng)加熱設(shè)備**：在感應(yīng)加熱設(shè)備中，如感應(yīng)爐和感應(yīng)加熱器，這款MOSFET可以用于高功率開(kāi)關(guān)控制。其高電流和高功率特性使其能夠提供高效的感應(yīng)加熱效果。

5. **電力傳輸**：在電力傳輸和分配系統(tǒng)中，28NM50N-VB MOSFET可以用于開(kāi)關(guān)控制和保護(hù)。其高壓和高電流能力使其能夠處理電力系統(tǒng)中的高壓和高功率要求。