--- 產品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介詳
**VBsemi 2N70-VB TO220** 是一款高壓單N溝道MOSFET,適用于要求高電壓和高性能的應用。采用平面技術(Plannar),具有良好的導通特性和高耐壓能力。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**:2N70-VB
- **封裝**:TO220
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:700V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **門限電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:2600mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:4A
- **技術**:平面 (Plannar)

### 適用領域和模塊
**1. 電源逆變器**
2N70-VB TO220 MOSFET適用于電源逆變器,如太陽能逆變器和工業(yè)用逆變器。其高耐壓能力和穩(wěn)定的性能使其成為逆變器電路的理想選擇。
**2. 高壓開關電路**
在一些要求高電壓開關的電路中,這款MOSFET可以用于高壓開關電路的設計,如電源開關和高壓直流電源開關。
**3. 照明應用**
在某些照明應用中,2N70-VB TO220可以用作LED驅動器的開關器件,控制LED的亮度和開關。
**4. 汽車電子**
在汽車電子系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電源管理和電動車輛控制電路,其高耐壓能力和穩(wěn)定性能使其適合在汽車環(huán)境中使用。
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