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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SJ633-TL-VB一種P-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: 2SJ633-TL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SJ633-TL-VB 產(chǎn)品簡介

2SJ633-TL-VB 是一款單一 P 通道 MOSFET,封裝形式為 TO252。該型號采用 Trench 技術(shù)制造,具有較低的導通電阻和優(yōu)秀的開關(guān)特性,適用于對性能和可靠性要求較高的電路設計。其最大漏源電壓(VDS)為 -60V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 -1.7V,導通電阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 時為 72mΩ,在 VGS=10V 時為 61mΩ,最大漏極電流(ID)為 -30A。

### 二、2SJ633-TL-VB 詳細參數(shù)說明

- **型號**:2SJ633-TL-VB
- **封裝**:TO252
- **類型**:單一 P 通道
- **技術(shù)**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:-60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - @ VGS=4.5V:72mΩ
 - @ VGS=10V:61mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**:-30A
- **導通延遲時間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:35nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:12nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:23nC
- **熱阻 (RθJC)**:< 3.1°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應用領域和模塊實例

#### 電源管理模塊
2SJ633-TL-VB 可用于各種電源管理模塊,特別是在需要中等功率處理能力的場合,如低功耗 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器。

#### 電動工具
由于其高電流承受能力和良好的熱特性,該 MOSFET 適用于電動工具中的電機驅(qū)動和控制系統(tǒng),如電動鉆、砂輪機等。

#### LED 照明
在 LED 照明應用中,2SJ633-TL-VB 可用于驅(qū)動電路和調(diào)光系統(tǒng),幫助實現(xiàn)高效率和穩(wěn)定性的 LED 光源控制。

#### 電動車充電器
該型號也適用于電動車充電器中的功率開關(guān)電路,確保充電器的高效率和安全性。

#### 工業(yè)自動化
在工業(yè)控制和自動化領域,2SJ633-TL-VB 可用于電機控制、傳感器接口和各種開關(guān)電路中,滿足對高可靠性和高效率的要求。

綜上所述,2SJ633-TL-VB 在多個領域和模塊中都具有廣泛的應用前景,是一款性能穩(wěn)定可靠的 MOSFET 元件。

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