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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SJ683-VB一種P-Channel溝道TO263封裝MOS管

型號(hào): 2SJ683-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**產(chǎn)品型號(hào):2SJ683-VB**

**封裝類型:TO263**

**配置:單一P溝道**

**技術(shù):Trench**

**主要特點(diǎn):**
- **VDS(漏源電壓):** -60V
- **VGS(柵源電壓):** ±20V
- **Vth(閾值電壓):** -3V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻):** 8.5mΩ@VGS=4.5V;6.5mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流):** -110A

2SJ683-VB是一款高性能P溝道MOSFET,適用于高功率、高效率的開關(guān)電源和馬達(dá)控制應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

1. **基本參數(shù):**
  - **型號(hào):** 2SJ683-VB
  - **封裝類型:** TO263
  - **配置:** 單一P溝道
  - **技術(shù):** Trench

2. **電氣特性:**
  - **漏源電壓 (VDS):** -60V
  - **柵源電壓 (VGS):** ±20V
  - **閾值電壓 (Vth):** -3V

3. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):**
  - **@ VGS=4.5V:** 8.5mΩ
  - **@ VGS=10V:** 6.5mΩ

4. **漏極電流 (ID):** -110A

5. **其他特性:**
  - **最大耗散功率:** 300W
  - **工作溫度范圍:** -55°C 至 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

1. **高功率開關(guān)電源:**
  由于2SJ683-VB具有低導(dǎo)通電阻和高漏極電流承載能力,適用于需要高功率密度和高效率的開關(guān)電源設(shè)計(jì)。

2. **電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng):**
  在電動(dòng)汽車的電機(jī)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于功率開關(guān),提供高效的電流控制和管理,從而提高電動(dòng)汽車的性能和能效。

3. **工業(yè)馬達(dá)控制:**
  用于工業(yè)馬達(dá)控制系統(tǒng)中的功率開關(guān),能夠承受高電壓和電流,確保系統(tǒng)的高效率和可靠性。

4. **UPS電源:**
  在UPS(不間斷電源)系統(tǒng)中,2SJ683-VB可用于功率開關(guān),確保UPS系統(tǒng)在停電時(shí)能夠提供穩(wěn)定的電力輸出。

綜上所述,2SJ683-VB是一款高性能的P溝道MOSFET,適用于各種高功率、高效率的電源和馬達(dá)控制應(yīng)用,是許多工業(yè)和汽車電子系統(tǒng)中的理想選擇。

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