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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1160-VB一種N-Channel溝道TO220封裝MOS管

型號(hào): 2SK1160-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1160-VB 產(chǎn)品簡介

2SK1160-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。該型號(hào)采用 SJ_Multi-EPI 技術(shù)制造,具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于中功率電路設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,最大柵源電壓(VGS)為 ±30V,閾值電壓(Vth)為 3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時(shí)為 500mΩ,最大漏極電流(ID)為 9A。

### 二、2SK1160-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:2SK1160-VB
- **封裝**:TO220
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:SJ_Multi-EPI
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:500mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:9A
- **導(dǎo)通延遲時(shí)間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時(shí)間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:45nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:12nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:33nC
- **熱阻 (RθJC)**:< 2.0°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

#### 電源管理模塊
2SK1160-VB 在中功率電源管理模塊中有廣泛應(yīng)用,特別是在需要承受較高電壓和電流的場(chǎng)合,如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器。

#### 電動(dòng)汽車充電器
由于其較高的漏極電流和較低的導(dǎo)通電阻,該型號(hào)適用于電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)中的功率開關(guān)電路,確保系統(tǒng)的高效率和安全性。

#### 工業(yè)電機(jī)控制
在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域,2SK1160-VB 可用于各種中功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制系統(tǒng),如風(fēng)力發(fā)電機(jī)、泵站控制等。

#### 電源逆變器
在太陽能和風(fēng)能等可再生能源系統(tǒng)中,該型號(hào)可用于逆變器電路,幫助實(shí)現(xiàn)能量的高效轉(zhuǎn)換和管理。

#### 高性能電源放大器
在音響系統(tǒng)和專業(yè)音響設(shè)備中,2SK1160-VB 可用于功率放大器電路,提供高保真度的音頻放大。

綜上所述,2SK1160-VB 在中功率電路設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景,是一款適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)的高性能 MOSFET 元件。

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