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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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2SK1266-VB一種N-Channel溝道TO220F封裝MOS管

型號: 2SK1266-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 2SK1266-VB MOSFET 產(chǎn)品概述

**簡介:**
2SK1266-VB是VBsemi設(shè)計的N-Channel MOSFET,適用于需要中等電壓、低導通電阻和高電流承載能力的各種應(yīng)用。采用Trench技術(shù),具有穩(wěn)定的性能和可靠性,是對性能和可靠性要求高的應(yīng)用的理想選擇。

**特點:**
- **漏極-源極電壓(VDS):** 200V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 3V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 58mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** 20A
- **技術(shù):** Trench
- **封裝:** TO220F
- **配置:** 單N-Channel

### 詳細規(guī)格

1. **電氣特性:**
  - **最大漏極-源極電壓(VDS):** 200V
  - **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
  - **閾值電壓(Vth):** 3V
  - **導通電阻(RDS(ON)):** 58mΩ @ VGS = 10V
  - **連續(xù)漏極電流(ID):** 20A

2. **熱性能和機械特性:**
  - **封裝類型:** TO220F
  - **結(jié)-外界熱阻:** 標準TO220F封裝的熱阻
  - **最大結(jié)溫(Tj):** 由制造商指定

3. **性能特點:**
  - **技術(shù):** Trench
  - **柵極電荷(Qg):** 基于VGS和ID的典型值
  - **輸入電容(Ciss):** 高頻操作的典型值

### 應(yīng)用示例

1. **電源管理:**
  2SK1266-VB可用于電源管理系統(tǒng)中的開關(guān)和調(diào)節(jié)器,確保穩(wěn)定的電源輸出和高效的能量轉(zhuǎn)換。

2. **電機驅(qū)動:**
  由于2SK1266-VB具有高電流承載能力和低導通電阻,因此可用于電機驅(qū)動系統(tǒng)中,確保電機的高效運行和響應(yīng)速度。

3. **照明系統(tǒng):**
  2SK1266-VB可用于LED照明系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動器,確保LED燈具的穩(wěn)定亮度和長壽命。

4. **工業(yè)自動化:**
  由于2SK1266-VB具有穩(wěn)定的性能和可靠性,可用于工業(yè)自動化系統(tǒng)中的各種應(yīng)用,確保設(shè)備的穩(wěn)定運行。

總之,VBsemi的2SK1266-VB MOSFET是一款穩(wěn)定性能和可靠性的中壓N-Channel MOSFET,適用于電源管理、電機驅(qū)動、照明系統(tǒng)和工業(yè)自動化等應(yīng)用。其穩(wěn)定的性能和高可靠性使其成為苛刻環(huán)境下的理想選擇。

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