--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、2SK1391-VB 產(chǎn)品簡介
2SK1391-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,封裝形式為 TO220。該型號采用 Trench 技術(shù)制造,具有較高的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于低中功率電路設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 250V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 3V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時(shí)為 1100mΩ,最大漏極電流(ID)為 4.4A。
### 二、2SK1391-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:2SK1391-VB
- **封裝**:TO220
- **類型**:單一 N 通道
- **技術(shù)**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:250V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:4.4A
- **導(dǎo)通延遲時(shí)間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時(shí)間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:12nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:3nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:9nC
- **熱阻 (RθJC)**:3.1°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例
#### 電源管理模塊
2SK1391-VB 在低中功率電源管理模塊中有廣泛應(yīng)用,如適配器、充電器等,特別是在要求較低漏源電壓和導(dǎo)通電阻的場合。
#### 電機(jī)控制器
由于其較低的漏源電壓和適中的漏源電流,該型號適用于小型電機(jī)控制器,如家用電器中的電機(jī)驅(qū)動器、風(fēng)扇控制器等。
#### LED 驅(qū)動器
在 LED 照明系統(tǒng)中,2SK1391-VB 可用于 LED 驅(qū)動電路,尤其適用于低功率 LED 燈泡、燈帶等。
#### 電動工具
在電動工具的電機(jī)驅(qū)動器中,該型號可用于設(shè)計(jì)小型電動工具,如電動鉆、電動扳手等。
#### 汽車電子系統(tǒng)
在汽車電子系統(tǒng)中,2SK1391-VB 可用于一些輔助系統(tǒng)的設(shè)計(jì),如車內(nèi)照明、電動座椅控制器等。
綜上所述,2SK1391-VB 是一款適用于低中功率電路設(shè)計(jì)的 MOSFET 元件,具有較低的漏源電壓和適中的導(dǎo)通電阻,適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛