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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK1467-VB一款N-Channel溝道SOT89的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK1467-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT89封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK1467-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK1467-VB 是一款單一 N 通道 MOSFET,采用 SOT89 封裝形式,基于 Trench 技術(shù)制造。該型號(hào)具有較低的漏源電壓和導(dǎo)通電阻,適用于要求較低耐壓和中小功率的電路設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,最大柵源電壓(VGS)為 ±20V,閾值電壓(Vth)為 1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵源電壓下分別為 30mΩ(VGS=2.5V)和 22mΩ(VGS=4.5V),最大漏極電流(ID)為 6.8A。

### 二、2SK1467-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:2SK1467-VB
- **封裝**:SOT89
- **類型**:?jiǎn)我?N 通道
- **技術(shù)**:Trench
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:30mΩ @ VGS=2.5V,22mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**:6.8A
- **導(dǎo)通延遲時(shí)間**:< 10ns
- **關(guān)斷延遲時(shí)間**:< 20ns
- **總柵電荷 (Qg)**:7nC
- **柵極-漏極電荷 (Qgd)**:1.5nC
- **漏極-源極電荷 (Qgs)**:4.5nC
- **熱阻 (RθJA)**:90°C/W
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊實(shí)例

#### 低壓電路保護(hù)
2SK1467-VB 適用于低壓電路保護(hù),如電池管理系統(tǒng)中的過(guò)充、過(guò)放保護(hù),以及短路保護(hù)等。

#### 小功率開關(guān)控制
在需要小功率開關(guān)控制的應(yīng)用中,如小型電源管理模塊、LED 燈驅(qū)動(dòng)器等,2SK1467-VB 可提供可靠的開關(guān)性能。

#### 消費(fèi)類電子產(chǎn)品
該型號(hào)適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊,如智能手機(jī)、平板電腦等,可實(shí)現(xiàn)高效能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。

#### 工業(yè)自動(dòng)化控制
在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域中,2SK1467-VB 可用于控制小功率設(shè)備和傳感器,實(shí)現(xiàn)對(duì)工業(yè)設(shè)備的精確控制。

#### 醫(yī)療設(shè)備
在醫(yī)療設(shè)備中,該型號(hào)可用于設(shè)計(jì)小功率電路模塊,如醫(yī)療成像設(shè)備、治療設(shè)備等,提供穩(wěn)定的電源和信號(hào)控制。

綜上所述,2SK1467-VB 是一款適用于低壓、小功率電路設(shè)計(jì)的 N 通道 MOSFET,具有較低的漏源電壓和導(dǎo)通電阻,適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng)。

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