--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**型號:2SK1572-VB**
2SK1572-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,封裝類型為TO220F。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的平面技術(shù),具備出色的電壓和電流性能,非常適用于各種高壓應(yīng)用場合。其主要特點包括650V的漏源電壓(VDS),±30V的柵源電壓(VGS),以及2A的連續(xù)漏極電流(ID)。此外,它具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V),使其在高效能和高可靠性方面表現(xiàn)優(yōu)異。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
| 參數(shù) | 值 |
| --------------| ------------------ |
| 型號 | 2SK1572-VB |
| 封裝類型 | TO220F |
| 配置 | 單N溝道 |
| 漏源電壓(VDS)| 650V |
| 柵源電壓(VGS)| ±30V |
| 閾值電壓(Vth)| 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))| 1700mΩ @ VGS=10V |
| 連續(xù)漏極電流(ID)| 2A |
| 技術(shù) | 平面 |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源管理:**
2SK1572-VB 可用于高壓電源管理系統(tǒng)中,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC電源適配器。其高漏源電壓能力和低導(dǎo)通電阻確保了電源轉(zhuǎn)換效率和可靠性。
2. **照明控制:**
該MOSFET非常適合用于LED照明控制電路中。其高電壓和電流處理能力使其在驅(qū)動大功率LED時表現(xiàn)出色,并能有效降低功率損耗。
3. **工業(yè)控制:**
在工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)中,2SK1572-VB可以用于電機(jī)驅(qū)動和保護(hù)電路。其高耐壓特性和穩(wěn)定的電流處理能力使其能在惡劣環(huán)境中長時間可靠運行。
**模塊示例:**
1. **高壓開關(guān)模塊:**
2SK1572-VB 可以集成到高壓開關(guān)模塊中,用于切換和控制高電壓電路。其650V的漏源電壓和低導(dǎo)通電阻確保了模塊的高效能和低損耗。
2. **功率放大模塊:**
在音頻和RF功率放大應(yīng)用中,該MOSFET可以作為功率放大器的一部分。其穩(wěn)定的性能和高電流處理能力確保了信號的高保真放大。
3. **保護(hù)電路模塊:**
該型號的MOSFET還可以用于設(shè)計過電流和過壓保護(hù)電路。其快速響應(yīng)和高可靠性使其能有效保護(hù)其他關(guān)鍵元器件免受電氣故障的損害。
通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例,可以看出2SK1572-VB的廣泛適用性和高性能特征,使其成為高壓、高效能應(yīng)用中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12