日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

2SK1982-01MR-VB一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK1982-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK1982-01MR-VB 是一種單 N 通道 MOSFET,封裝為 TO220F。該器件具有高電壓和高電流的特點(diǎn),適用于各種高功率應(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括650V的漏源電壓(VDS)、10A的漏極電流(ID)以及830mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)@VGS=10V)。這種MOSFET采用平面技術(shù),具有良好的開關(guān)性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**:2SK1982-01MR-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)?N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)**:平面技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

2SK1982-01MR-VB 由于其高電壓和高電流特性,適用于多個(gè)領(lǐng)域和模塊。

1. **電源管理**:該MOSFET可用于開關(guān)電源(SMPS)中的高效能轉(zhuǎn)換。其高電壓特性使其適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC轉(zhuǎn)換器,提供高效的電能管理解決方案。

2. **電機(jī)控制**:在工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用中,該器件可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制模塊。高電流和低導(dǎo)通電阻使其適合用于步進(jìn)電機(jī)和無刷直流電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。

3. **逆變器**:在太陽(yáng)能光伏逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中,2SK1982-01MR-VB 能夠處理高電壓和高功率,確保高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出。

4. **照明系統(tǒng)**:該MOSFET可用于LED驅(qū)動(dòng)電路中,特別是在高功率LED照明系統(tǒng)中,提供穩(wěn)定的電流控制和高效的電能轉(zhuǎn)換。

通過這些應(yīng)用實(shí)例,可以看出2SK1982-01MR-VB 是一種多功能、高性能的MOSFET,適用于需要高電壓、高電流和高效能轉(zhuǎn)換的各種場(chǎng)合。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    775瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    634瀏覽量
扶风县| 湖北省| 安义县| 西华县| 华安县| 阿合奇县| 临潭县| 蚌埠市| 丰县| 曲靖市| 来安县| 长子县| 太湖县| 浦县| 逊克县| 张北县| 磐安县| 望谟县| 长武县| 霍林郭勒市| 丰城市| 昌乐县| 政和县| 昌平区| 布尔津县| 于田县| 习水县| 南昌县| 太保市| 仙桃市| 海安县| 阳朔县| 青河县| 英德市| 噶尔县| 怀柔区| 朝阳区| 白银市| 苗栗县| 龙岩市| 曲周县|