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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK2158-T2B-A-VB一款N-Channel溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK2158-T2B-A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**2SK2158-T2B-A-VB** 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用SOT23-3封裝形式,具有良好的導(dǎo)通性能和高可靠性。其額定漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,具有1.7V的柵極閾值電壓(Vth)。在VGS=4.5V時(shí),RDS(ON)為3100mΩ,在VGS=10V時(shí)為2800mΩ,最大連續(xù)漏電流(ID)為0.3A。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)制造,適用于低功率電源管理和開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: 2SK2158-T2B-A-VB
- **封裝形式**: SOT23-3
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
  - 3100mΩ @ VGS=4.5V
  - 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 0.3A
- **技術(shù)**: 溝槽技術(shù) (Trench)

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊

**2SK2158-T2B-A-VB** 適用于多種低功率電源管理和開(kāi)關(guān)電路應(yīng)用,包括但不限于以下幾個(gè)領(lǐng)域和模塊:

1. **電源轉(zhuǎn)換模塊**:
  - **低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 由于其低RDS(ON)和低ID特性,適用于低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器中。
  - **低功率AC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在小型電器和充電器中用于高效能的電能轉(zhuǎn)換。

2. **LED驅(qū)動(dòng)模塊**:
  - **LED燈驅(qū)動(dòng)**: 作為L(zhǎng)ED驅(qū)動(dòng)器的開(kāi)關(guān)元件,提供高效能的LED驅(qū)動(dòng)方案。
  - **背光模塊**: 用于LCD顯示器的背光模塊中,提供穩(wěn)定的背光驅(qū)動(dòng)。

3. **電池管理模塊**:
  - **電池保護(hù)電路**: 用于移動(dòng)設(shè)備和電動(dòng)工具中的電池保護(hù)模塊中,防止電池過(guò)充和過(guò)放。

4. **傳感器接口模塊**:
  - **傳感器信號(hào)處理**: 在傳感器接口電路中使用,提供對(duì)傳感器信號(hào)的穩(wěn)定放大和處理。

5. **汽車(chē)電子模塊**:
  - **汽車(chē)燈光控制**: 用于汽車(chē)燈光控制模塊中,提供穩(wěn)定的電流驅(qū)動(dòng)。
  - **車(chē)載充電器**: 作為車(chē)載充電器電路中的開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效能的充電。

2SK2158-T2B-A-VB MOSFET在這些低功率應(yīng)用中,通過(guò)其優(yōu)異的電氣特性和高可靠性,為電子設(shè)備提供了低功率、高效能的解決方案。

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