日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

2SK2808-01MR-VB一種N-Channel溝道TO220F封裝MOS管

型號: 2SK2808-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK2808-01MR-VB 產(chǎn)品簡介

2SK2808-01MR-VB 是一款由VBsemi公司生產(chǎn)的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和20V的柵源電壓(VGS),能夠在低壓應(yīng)用中提供高效和可靠的性能。該產(chǎn)品采用了溝道技術(shù),確保了在不同應(yīng)用中的穩(wěn)定性和耐用性。其最大漏極電流(ID)為68A,在VGS為4.5V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2mΩ,在VGS為10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1mΩ。這個器件適用于對低壓要求且需要高電流的場合。

### 二、2SK2808-01MR-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝形式**:TO220F
- **極性**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:20V(±)
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - @ VGS=4.5V: 2mΩ
 - @ VGS=10V: 1mΩ
- **漏極電流(ID)**:68A
- **技術(shù)**:溝道技術(shù)
- **其他參數(shù)**:
 - 柵極電荷(Qg):待定
 - 反向恢復(fù)時間(trr):待定
 - 電感負載開關(guān)時間(tsw):待定
 - 封裝尺寸:待定
 - 工作溫度范圍:待定

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

2SK2808-01MR-VB MOSFET 由于其低壓和高電流能力,適用于各種低壓高功率的應(yīng)用場景。以下是一些具體的應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源模塊**:在需要高效能和穩(wěn)定性能的低壓電源模塊中,2SK2808-01MR-VB 可以提供可靠的功率開關(guān)和電流控制,使電源模塊具有更好的效率和可靠性。

2. **電機驅(qū)動器**:在低壓電機控制系統(tǒng)中,2SK2808-01MR-VB 可以提供高效的電流控制和電壓調(diào)節(jié),確保電機的穩(wěn)定運行和高效能轉(zhuǎn)換。

3. **照明系統(tǒng)**:對于需要高亮度和高功率的LED照明系統(tǒng),2SK2808-01MR-VB 可以提供穩(wěn)定的電流和電壓輸出,提升照明效果和能源利用率。

4. **電動汽車控制器**:在電動汽車控制系統(tǒng)中,2SK2808-01MR-VB 的高電流處理能力和低壓特性可以確保電能傳輸?shù)姆€(wěn)定和高效率,提高電動汽車的性能和續(xù)航里程。

總的來說,2SK2808-01MR-VB 是一款適用于低壓高功率場合的N溝道MOSFET,具有高性能和穩(wěn)定性,可以滿足各種高功率電子設(shè)備的需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    780瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    638瀏覽量
宣恩县| 盖州市| 厦门市| 溆浦县| 永胜县| 桑植县| 龙井市| 奉节县| 宜兴市| 溧阳市| 巴彦县| 乐陵市| 蒲江县| 安西县| 甘孜县| 宿迁市| 淮北市| 绥棱县| 靖边县| 余姚市| 吴旗县| 汤阴县| 通江县| 习水县| 共和县| 赤水市| 常州市| 阳谷县| 綦江县| 重庆市| 衡水市| 奉新县| 探索| 永福县| 库伦旗| 漯河市| 梅河口市| 巴东县| 额尔古纳市| 特克斯县| 重庆市|