--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 Single-N-Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 2SK2996-VB MOSFET 產品簡介
2SK2996-VB 是一款單 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),封裝形式為 TO220F。該型號 MOSFET 具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻特性,適用于中功率電源管理和開關應用。
### 2SK2996-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:830mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術類型**:Plannar

### 適用領域和模塊的應用舉例
2SK2996-VB MOSFET 具有較高的漏源電壓和適中的導通電阻,適用于中功率應用。以下是一些具體應用領域和模塊示例:
1. **工業(yè)電源**:在中功率工業(yè)電源中,該 MOSFET 可用于逆變器和變換器,提供穩(wěn)定、高效的電能轉換。
2. **UPS(不間斷電源)**:在 UPS 中,該 MOSFET 可用于開關電源單元,確保電源供應的連續(xù)性和穩(wěn)定性。
3. **電動車充電樁**:在電動車充電樁中,該 MOSFET 可用于功率開關器件,實現(xiàn)快速、高效的充電。
4. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,該 MOSFET 可用于直流-交流轉換器,提供高效的太陽能電能利用。
5. **工業(yè)自動化**:在工業(yè)自動化設備中,用于控制中功率電動機和其他電氣設備,提供穩(wěn)定的電源和控制信號。
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