日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號(hào)介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

2SK3162-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 2SK3162-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 Single-N溝道

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、2SK3162-VB 產(chǎn)品簡介

2SK3162-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于中高壓、高電流應(yīng)用。該器件具有 200V 的漏源電壓 (VDS) 和 45A 的連續(xù)漏極電流 (ID),在不同的柵源電壓下具有較低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))。采用了 Trench 技術(shù),具有高效能、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于要求高功率密度和高效能量管理的電子應(yīng)用。

### 二、2SK3162-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)                  | 數(shù)值         | 單位    | 備注                      |
|---------------------|------------|-------|-------------------------|
| **封裝類型**           | TO220F     |       |                          |
| **配置**              | 單 N 溝道     |       |                          |
| **漏源電壓 (VDS)**    | 200        | V     | 最大額定值                  |
| **柵源電壓 (VGS)**    | 20(±)    | V     | 最大額定值                  |
| **閾值電壓 (Vth)**    | 3          | V     | 典型值                    |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 38         | mΩ    | VGS=10V 時(shí)               |
| **連續(xù)漏極電流 (ID)**   | 45         | A     | 最大額定值                  |
| **技術(shù)**              | Trench     |       | 溝槽技術(shù),高效能和快速開關(guān)特性 |

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域及示例

2SK3162-VB MOSFET 適用于多種中高壓、高電流應(yīng)用,包括但不限于以下領(lǐng)域:

1. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電力系統(tǒng)中,2SK3162-VB 可以用于電池管理和電動(dòng)驅(qū)動(dòng)控制。其高電流承載能力和高效率,有助于提高電動(dòng)汽車的性能和續(xù)航里程。

2. **電源轉(zhuǎn)換器**:在高功率轉(zhuǎn)換器中,2SK3162-VB 可以用于實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻和高頻開關(guān)能力,有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率和功率密度。

3. **工業(yè)電源**:在工業(yè)領(lǐng)域的高功率電源中,該器件可用于實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力,使其成為工業(yè)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

4. **電力調(diào)節(jié)器**:在電力調(diào)節(jié)器中,2SK3162-VB 可以用作主開關(guān)元件,其高導(dǎo)通電阻和快速響應(yīng)性能,有助于實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力輸出。

綜上所述,2SK3162-VB MOSFET 具有高電流能力、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于需要高功率密度和高效能量管理的中高壓電子應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    780瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛
    638瀏覽量
岳西县| 三台县| 车险| 桂林市| 连城县| 洛浦县| 阳东县| 仁布县| 吕梁市| 务川| 花莲县| 常熟市| 泸州市| 台中县| 乐业县| 肇庆市| 蓬安县| 攀枝花市| 姚安县| 自治县| 凤阳县| 洛扎县| 丰镇市| 家居| 富宁县| 化隆| 万州区| 临洮县| 鄢陵县| 怀集县| 桂平市| 岫岩| 台北市| 项城市| 饶平县| 明溪县| 屏边| 义马市| 饶阳县| 化州市| 光山县|