--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
**2SK4058-ZK-E2-AY-VB**是一款由VBsemi推出的高性能N溝道MOSFET。該器件采用TO252封裝,設(shè)計(jì)用于低壓大電流應(yīng)用。具有極低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流承載能力,適用于高效電源管理和功率轉(zhuǎn)換電路,滿足高效能耗需求。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: 2SK4058-ZK-E2-AY-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=2.5V
- 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源管理**:
- **描述**: 由于具有極低的導(dǎo)通電阻和高漏極電流承載能力,適用于高效電源管理模塊。
- **示例**: 在高性能電源模塊或高效電源轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET可用作關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,減少能耗。
2. **計(jì)算機(jī)和服務(wù)器電源**:
- **描述**: 適用于高性能計(jì)算機(jī)和服務(wù)器電源管理系統(tǒng)。
- **示例**: 在高功率密度的服務(wù)器電源或數(shù)據(jù)中心電源模塊中,該器件可用于提供穩(wěn)定且高效的電源輸出,支持高計(jì)算負(fù)載的運(yùn)行。
3. **電動工具**:
- **描述**: 適用于低壓大電流的電動工具驅(qū)動電路。
- **示例**: 在電動鉆、沖擊鉆等高性能電動工具中,該器件可用于控制電動機(jī)的啟停和速度調(diào)節(jié),提供高效的動力輸出,增強(qiáng)工具性能。
4. **電動交通工具**:
- **描述**: 適用于電動自行車、電動滑板車等低壓電動交通工具的動力控制模塊。
- **示例**: 在電動自行車的電機(jī)控制系統(tǒng)中,該MOSFET可用于驅(qū)動電機(jī),提供平穩(wěn)且高效的動力傳輸,提高電動交通工具的續(xù)航能力和性能。
5. **消費(fèi)電子**:
- **描述**: 適用于需要高效能耗的消費(fèi)電子產(chǎn)品。
- **示例**: 在高性能的智能手機(jī)、平板電腦中,該MOSFET可用于電源管理電路,提供高效穩(wěn)定的電源供給,延長設(shè)備的續(xù)航時間。
通過以上示例,可以看出2SK4058-ZK-E2-AY-VB MOSFET適用于各種低壓大電流應(yīng)用領(lǐng)域,具有極低的導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,是高效功率轉(zhuǎn)換和電源管理電路中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它