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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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2SK739-Z-VB一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 2SK739-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

2SK739-Z-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝。具有 60V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),閾值電壓為 1.7V。該器件的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為 4.5V 時(shí)為 85mΩ,在柵源電壓為 10V 時(shí)為 73mΩ。漏極電流(ID)可達(dá) 18A,采用 Trench 技術(shù)制造,具有高性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù)       | 數(shù)值                    | 單位       |
|------------|-------------------------|------------|
| 封裝類(lèi)型   | TO-252                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道               | -          |
| 漏源電壓(VDS)| 60                    | V          |
| 柵源電壓(VGS)| ±20                  | V          |
| 閾值電壓(Vth) | 1.7                  | V          |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=4.5V | 85          | mΩ         |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=10V | 73          | mΩ         |
| 漏極電流(ID) | 18                   | A          |
| 技術(shù)       | Trench                  | -          |

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理模塊**:
  2SK739-Z-VB 在電源管理模塊中可以應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、逆變器和穩(wěn)壓器等電路中。其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流特性使其能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率,并減少功率損耗。

2. **汽車(chē)電子**:
  在汽車(chē)電子領(lǐng)域,2SK739-Z-VB 可以用于電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)控制器和電池管理系統(tǒng)。其高耐壓和大電流特性,以及 Trench 技術(shù)的可靠性,確保了在汽車(chē)環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **工業(yè)控制**:
  在工業(yè)控制領(lǐng)域,2SK739-Z-VB 可以應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備的電源管理和控制電路中。其高性能和可靠性使其適用于各種惡劣工業(yè)環(huán)境下的應(yīng)用。

4. **消費(fèi)電子產(chǎn)品**:
  在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,2SK739-Z-VB 可以用于電池保護(hù)電路、充電器和逆變器等電路中。其高效的導(dǎo)通電阻和大電流特性,確保了設(shè)備的高效穩(wěn)定運(yùn)行。

通過(guò)以上應(yīng)用示例,可以看出 2SK739-Z-VB 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,適用于需要高性能和可靠性的電子設(shè)備和模塊中。

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