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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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320N20N-VB TO252一款Single-N溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 320N20N-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

320N20N-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝。具有 200V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS),閾值電壓為 3V。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為 10V 時為 55mΩ。漏極電流(ID)可達 30A,采用 Trench 技術(shù)制造,具有高性能和可靠性。

### 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)       | 數(shù)值                    | 單位       |
|------------|-------------------------|------------|
| 封裝類型   | TO-252                  | -          |
| 配置       | 單 N 溝道               | -          |
| 漏源電壓(VDS)| 200                   | V          |
| 柵源電壓(VGS)| ±20                  | V          |
| 閾值電壓(Vth) | 3                   | V          |
| 導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=10V | 55         | mΩ         |
| 漏極電流(ID) | 30                   | A          |
| 技術(shù)       | Trench                  | -          |

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **電源管理模塊**:
  320N20N-VB 可以應(yīng)用于高壓直流輸電系統(tǒng)、變頻器和電力因素校正裝置等電力電子設(shè)備中。其高耐壓和大電流特性,以及低導(dǎo)通電阻,能夠提高設(shè)備的效率和可靠性。

2. **工業(yè)自動化設(shè)備**:
  在工業(yè)自動化設(shè)備中,320N20N-VB 可以用于電機驅(qū)動器和控制電路。其高電流處理能力和穩(wěn)定性,能夠確保設(shè)備在高功率操作中的可靠性。

3. **電動汽車充電樁**:
  在電動汽車充電樁中,320N20N-VB 可以用于直流快充和交流充電樁的功率開關(guān)電路中。其高耐壓和大電流特性,能夠快速、高效地充電電動汽車。

4. **太陽能逆變器**:
  在太陽能逆變器中,320N20N-VB 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,能夠高效地處理太陽能電池板輸出的高壓電流,確保電能的高效轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定輸出。

通過以上應(yīng)用示例,可以看出 320N20N-VB 具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,適用于需要高性能和可靠性的電子設(shè)備和模塊中。

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