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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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3N50L-TF3-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 3N50L-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、3N50L-TF3-T-VB TO220F 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

3N50L-TF3-T-VB 是一款由 VBsemi 生產(chǎn)的高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。其特點(diǎn)是具有較高的漏極電壓和較低的導(dǎo)通電阻,能夠在 650V 的漏源電壓下工作,并具有 ±30V 的柵源電壓耐受能力。該器件采用 Plannar 技術(shù),適用于各種需要高電壓和低功率的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 二、3N50L-TF3-T-VB TO220F 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

| 參數(shù) | 說(shuō)明 |
|------|------|
| 封裝類型 | TO220F |
| 配置 | 單 N 溝道 |
| 漏源電壓 (VDS) | 650V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±30V |
| 閾值電壓 (Vth) | 3.5V |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 2560mΩ@VGS=10V |
| 漏極電流 (ID) | 4A |
| 技術(shù) | Plannar |

### 三、3N50L-TF3-T-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源開(kāi)關(guān)模塊**
  - **領(lǐng)域**:工業(yè)電子
  - **應(yīng)用**:在工業(yè)電子設(shè)備中,該 MOSFET 可用于設(shè)計(jì)高壓開(kāi)關(guān)電源模塊,提供可靠的電源開(kāi)關(guān)功能,適用于各種工業(yè)控制系統(tǒng)。

2. **太陽(yáng)能逆變器**
  - **領(lǐng)域**:可再生能源
  - **應(yīng)用**:在太陽(yáng)能逆變器中,3N50L-TF3-T-VB 可以用于設(shè)計(jì)高效的功率逆變電路,將太陽(yáng)能板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電,為家庭和商業(yè)用途提供電能。

3. **電動(dòng)汽車充電樁**
  - **領(lǐng)域**:電動(dòng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施
  - **應(yīng)用**:該器件可以用于電動(dòng)汽車充電樁的設(shè)計(jì)中,幫助實(shí)現(xiàn)高效快速的充電,提升充電樁的性能和可靠性。

4. **高壓電源模塊**
  - **領(lǐng)域**:醫(yī)療設(shè)備
  - **應(yīng)用**:在醫(yī)療設(shè)備中,如醫(yī)用成像設(shè)備和激光治療設(shè)備中,該 MOSFET 可以用于設(shè)計(jì)高壓電源模塊,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

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