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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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3N65L-TF1-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: 3N65L-TF1-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:** 3N65L-TF1-T-VB  
**封裝:** TO220F  
**配置:** 單一N溝道MOSFET  
**主要參數(shù):**
- 漏源電壓 (VDS):650V
- 柵源電壓 (VGS):±30V
- 閾值電壓 (Vth):3.5V
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)):2560mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流 (ID):4A
- 技術(shù):Plannar(平面型)

### 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)名稱            | 參數(shù)值               |
|-----------------|--------------------|
| 漏源電壓 (VDS)       | 650V               |
| 柵源電壓 (VGS)       | ±30V               |
| 閾值電壓 (Vth)       | 3.5V               |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))   | 2560mΩ @ VGS=10V   |
| 漏極電流 (ID)        | 4A                 |
| 功率耗散 (Ptot)      | 40W                |
| 輸入電容 (Ciss)      | 670pF              |
| 輸出電容 (Coss)      | 70pF               |
| 反向傳輸電容 (Crss)  | 18pF               |
| 開啟時間 (ton)       | 20ns               |
| 關(guān)斷時間 (toff)      | 100ns              |
| 工作溫度范圍 (Tj)     | -55°C ~ 175°C      |
| 封裝類型            | TO220F             |

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **電源管理**:3N65L-TF1-T-VB適用于各種電源管理應(yīng)用,特別是需要高電壓和低功率的應(yīng)用,如電源適配器、LED照明驅(qū)動器和太陽能逆變器等。

2. **工業(yè)控制**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,這款MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動器、變頻器和工業(yè)電源等模塊,提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電源管理。

3. **電動汽車**:在電動汽車的電動機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中,這款MOSFET可以用于電動汽車控制器、充電樁和電池管理系統(tǒng)等模塊,確保系統(tǒng)的高效運(yùn)行和安全性。

4. **醫(yī)療設(shè)備**:在醫(yī)療設(shè)備中,這款MOSFET可用于高壓電源模塊、醫(yī)療圖像設(shè)備和醫(yī)療監(jiān)測設(shè)備等,具有高可靠性和耐高壓特性。

5. **航空航天**:在航空航天領(lǐng)域,這款MOSFET可以應(yīng)用于飛機(jī)電源系統(tǒng)、衛(wèi)星通信設(shè)備和航天器電子設(shè)備等,具有耐高壓和耐高溫的特性。

通過這些應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的具體例子,可以看出3N65L-TF1-T-VB TO220F MOSFET因其優(yōu)秀的電氣性能和可靠性在多個高壓應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。

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