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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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3STS8235-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): 3STS8235-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-6
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、3STS8235-VB 產(chǎn)品簡介

3STS8235-VB是一款雙N+N溝道MOSFET,采用SOT23-6封裝。該產(chǎn)品具有20V的漏源極電壓(VDS),20V的柵源極電壓(VGS),0.5~1.5V的閾值電壓(Vth),以及6A的漏極電流(ID)。3STS8235-VB采用溝槽技術(shù),提供高性能和可靠性。

### 二、3STS8235-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

| 參數(shù)               | 數(shù)值                       |
|--------------------|--------------------------|
| 封裝               | SOT23-6                  |
| 配置               | 雙N+N溝道                |
| 漏源極電壓 (VDS)   | 20V                      |
| 柵源極電壓 (VGS)   | ±20V                     |
| 閾值電壓 (Vth)     | 0.5~1.5V                 |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 28mΩ @ VGS=2.5V         |
| 導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) | 24mΩ @ VGS=4.5V         |
| 漏極電流 (ID)      | 6A                       |
| 技術(shù)               | 溝槽技術(shù) (Trench)        |

### 三、3STS8235-VB 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **移動(dòng)設(shè)備**:
  由于3STS8235-VB具有小封裝和低功耗特性,適用于移動(dòng)設(shè)備中的電源管理和功率放大器。

2. **通信設(shè)備**:
  在通信設(shè)備中,3STS8235-VB可用于射頻功率放大器和信號(hào)調(diào)節(jié)器件,有助于提高通信質(zhì)量和穩(wěn)定性。

3. **電源管理模塊**:
  3STS8235-VB適用于各種類型的電源管理模塊,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng),提供高效能耗和高性能。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  在工業(yè)控制系統(tǒng)中,3STS8235-VB可用于開關(guān)和控制器件,提供精確的控制和高效運(yùn)行。

綜上所述,3STS8235-VB MOSFET具有廣泛的應(yīng)用前景,在多個(gè)領(lǐng)域中都能發(fā)揮重要作用,特別適用于需要高性能開關(guān)器件的應(yīng)用。

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