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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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40N06-VB QFN8(5X6)一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): 40N06-VB QFN8(5X6)
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 40N06-VB QFN8(5X6) MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

40N06-VB 是一款高性能的單 N 溝道場(chǎng)效應(yīng)管,采用 DFN8(5X6) 封裝,適用于對(duì)空間有限的應(yīng)用。具有優(yōu)秀的熱性能和可靠性,適用于各種嚴(yán)苛的環(huán)境。具有 60V 的漏極-源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵極-源極電壓(VGS),在不同工作條件下提供穩(wěn)健的性能。該器件具有低的柵極閾值電壓(Vth)為 2.5V,確保在低電壓電路中易于使用。40N06-VB 采用 Trench 技術(shù),提供低導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)能效并減少熱量產(chǎn)生。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**:DFN8(5X6)
- **配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:60V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±20V
- **Vth(柵極閾值電壓)**:2.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:13mΩ @ VGS = 4.5V,10mΩ @ VGS = 10V
- **ID(持續(xù)漏極電流)**:50A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用示例

1. **電源管理**: 40N06-VB 可以廣泛應(yīng)用于各種功率管理電路中,如開關(guān)電源和穩(wěn)壓器,提高電路效率并減小尺寸。

2. **電池保護(hù)**: 在移動(dòng)設(shè)備和電動(dòng)工具中,可用于電池保護(hù)電路中,確保電池的安全和穩(wěn)定性。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 由于其高電流和低導(dǎo)通電阻特性,適用于 LED 燈驅(qū)動(dòng)電路中,實(shí)現(xiàn)高效能的 LED 燈控制。

4. **電動(dòng)汽車充電器**: 由于其高耐壓和電流特性,適用于電動(dòng)汽車充電器中的功率開關(guān),實(shí)現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**: 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,40N06-VB 可以用于各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,提高系統(tǒng)的可靠性和效率。

通過(guò)在這些領(lǐng)域中使用 40N06-VB MOSFET,設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路設(shè)計(jì),滿足不同應(yīng)用的需求。

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